5月3日，据韩媒ETNEWS援引供应链消息，三星电子晶圆代工业务已正式重启碳化硅（SiC）半导体业务，正与材料、组件及设备供应商深入磋商8英寸SiC生产线建设事宜，讨论已细化至设备采购规模，项目进入实质性推进阶段。科技媒体SammyGuru随后也报道称三星将SiC业务定位为新增长引擎，目标2028年实现量产。
三星对SiC的布局始于2023年，当时计划将部分8英寸硅晶圆产能转向碳化硅，推动代工业务多元化。但受存储市场低迷影响，公司战略重心回归存储业务，SiC商业化进程一度搁置，仅保留基础研发。2026 年行业环境逆转，存储业务强势复苏（一季度净利润同比增 474.3%），叠加 AI 算力爆发带动功率半导体需求激增，为SiC项目重启创造关键条件。
此次三星采用改造现有8英寸硅基产线的低成本策略，计划将其转化为SiC/GaN混合生产线，既规避新建厂房的高额投入，又提升成熟设备利用率。按照内部规划，2027年建成SiC原型试点线，2028年实现规模化量产；首款产品锁定平面结构SiC MOSFET，后续逐步向沟槽型等高性能结构拓展。
在技术储备上，三星已攻克多项SiC关键工艺难题，2025年底启动产线调试，2026年三季度计划试产样品。相较传统硅基功率器件，SiC 具备耐高温、低损耗、高频化等优势，在 AI 数据中心、新能源汽车、工业电源等领域需求爆发，成为第三代半导体核心赛道。
目前全球SiC市场由少数厂商主导，三星的强势入局将加剧行业竞争。业内认为，三星依托晶圆代工产能与技术积累，有望快速抢占中高端市场，与现有厂商形成差异化竞争格局。
（集邦化合物半导体整理）
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