11月1日，泰科天润位于北京市顺义区的8英寸碳化硅（SiC）功率器件生产基地厂房完成主体结构封顶。该项目于2022年拿地、2023年正式开工，历时四年建设迎来关键节点。厂房封顶标志着北京在补齐大尺寸碳化硅芯片制造环节上取得实质性进展。
从项目规划来看，该基地是泰科天润总部、研发中心及8英寸SiC功率器件产线的核心载体。项目一期总投资4亿元，建成后将具备年产2万片碳化硅SBD（肖特基二极管）与MOSFET（场效应晶体管）晶圆的生产能力，预计年产值达8亿元，计划于2028年实现达产。按照远期规划，该基地总产能将扩充至年产10万片8英寸晶圆，产品主要面向新能源汽车、国家电网及服务器电源等高功率应用领域。
泰科天润的产能建设经历了从4英寸、6英寸到8英寸的演进过程。公司成立于2011年4月，为国家级专精特新“小巨人”企业。2011年，公司在北京市布局4英寸碳化硅产线并于2013年投产；随后在湖南投建6英寸产线，目前该产线年产能已达10万片。此次顺义8英寸厂房封顶，意味着公司完成了大尺寸晶圆制造能力的进一步升级。
在资金与技术研发层面，公司近期亦有动作。2026年10月，泰科天润完成D轮融资，引入某国际半导体大厂、元禾重元及TCL创投等机构。在产品端，公司于2026年5月推出高压碳化硅MOSFET矩阵，主要面向固态变压器等电力电子装备应用场景。目前，其产品线已覆盖650V至1200V系列碳化硅SBD与MOSFET。
（集邦化合物半导体整理）
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