为期三天的Semicon China 2025上海展会已经落下帷幕，这场半导体盛会涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试、EDA/IP、半导体设备及材料等全产业链，吸引了1400多家知名企业参加。众多创新产品与技术竞相展示，第三代半导体表现极为亮眼。
全球半导体市场挑战与机遇并存，第三代半导体领域，受益于全球新能源汽车、光伏储能、轨道交通等应用需求爆发，产业赛道正持续升温，吸引国内厂商持续布局碳化硅、氮化镓。同时，厂商积极瞄准关键技术突破与量产，并不断拓宽三代半的应用范围。本次展会上，多家三代半相关材料、设备、代工等厂商展出了最新技术成果，国产“芯”实力进一步凸显。
天科合达展示光波导型碳化硅衬底等产品
source：集邦化合物半导体拍摄
天科合达主要从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售，会上，该公司重点展示了8英寸光波导型碳化硅衬底、12英寸热沉级碳化硅衬底以及液相法P型6英寸衬底三款产品。
其中，光波导型碳化硅衬底厚度为350/500/700μm，透光率>95%（镀增透膜后），折射率为2.7（450nm波长下），能助力解决传统AR眼镜视场角窄、彩虹纹及散热等难题。今年2月，天科合达与慕德微纳签署投资合同，天科合达将为慕德微纳提供满足AR衍射光波导需求的高质量碳化硅衬底产品。
此外，天科合达开发出适配8-12英寸晶体的单晶生长炉，为12英寸产品的量产提供有力保障。天科合达于今年年初推出的液相法P型6英寸衬底产品，目前正在积极推进客户端的验证工作，为规模化应用奠定坚实基础。
天岳先进全面进军12英寸新时代
source：集邦化合物半导体拍摄
SEMICON China 2025期间，天岳先进重磅发布全尺寸产品矩阵 —— 6英寸/8英寸/12英寸全系列碳化硅衬底集体亮相，包含12英寸高纯半绝缘型碳化硅衬底、12英寸导电P型及12英寸导电N型碳化硅衬底。
稍早之前的亚洲化合物半导体大会上，天岳先进分享了超大尺寸衬底量产经验、液相法制备工艺等前沿成果，与全球产业链上下游共议碳化硅技术趋势。
12英寸产品，在产品面积上较8英寸持续扩大，单片晶圆芯片产出量跃升2.5倍，尺寸扩大有效降低单位成本，是行业发展的必然趋势。天岳先进认为，碳化硅行业已经正式迈入“12英寸时代”，2025年将是大尺寸技术突破元年。
应用领域方面，天岳先进表示碳化硅产品的技术裂变也将助力新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G基站等多种高压应用场景，催生AR眼镜、卫星通信及低空经济等多重新兴领域蓬勃发展，助力万物互联时代的算力革命。
汉高推出多款前沿产品
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汉高粘合剂电子事业部携多款前沿产品与解决方案亮相SEMICON China 2025，聚焦先进封装、车规级应用及绿色可持续发展领域，从而助力半导体行业在AI时代更好地打造新质生产力。
面对大算力芯片对先进封装材料的要求，汉高推出了一款低应力、超低翘曲的液态压缩成型封装材料LOCTITE®ECCOBOND LCM 1000AG-1，适用于晶圆级封装（WLP）和扇出型晶圆级封装（FO-WLP），为人工智能时代的“芯”动力提供保障。同时，汉高基于创新技术的液体模塑底部填充胶能够通过合并底部填封和包封步骤，成功实现了工艺简化，有效提升封装的效率和可靠性。
汉高针对先进制程的芯片推出了应用于系统级芯片的毛细底部填充胶，通过优化高流变性能，实现了均匀流动性、精准沉积效果与快速填充的平衡，其卓越的喷射稳定性和凸点保护功能可有效降低芯片封装应力损伤。此外，该系列产品在复杂的生产环境中能够保障可靠性与工艺灵活性，有效帮助客户提高生产效率，节约成本。
车规级领域，汉高用于芯片粘接的LOCTITE®ABLESTIK ABP 6395TC基于专利环氧化学技术，专为高可靠性、高导热或导电需求的封装场景设计，适配多种主流封装形式，可广泛应用于功率器件、汽车电子及工业控制等领域。LOCTITE®ABLESTIK ABP 8068TH基于无压银烧结技术，其具备的优异流变特性确保了点胶稳定性与弯曲针头的兼容性，低应力、强附着力以及固化后的高导热率，使其成为适配高导热或导电需求半导体封装的理想选择。此外，汉高还展示了其基于银和铜烧结的有压烧结解决方案，以全面的产品组合护航汽车半导体行业发展。
Tokyo Electron（TEL）展出创新设备
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TEL全方位展示了面向FEOL、BEOL和图案化的设备组合方案，创新型设备首次亮相，包括激光玻璃设备Ulucus™LX与溅射设备LEXIA™-EX。
与此同时，TEL还对外介绍了自身设备领域地位以及业绩情况。
TEL是全球唯一一家可以提供半导体图案化加工中必不可少的四个连续关键工艺所需设备的公司，这四个连续关键工艺分别是，沉积、光刻、刻蚀和清洗；产品阵容丰富，核心产品涂胶显影、清洗、等离子刻蚀、气体化学刻蚀、热处理成膜、批处理沉积、金属沉积、探针设备等产品在全球名列前茅；TEL用于EUVL曝光工序的涂胶显影设备拥有100%的市场份额。全球设备出货数量第一。
2025财年TEL集团营收预计将达历史新高的2.4万亿日元，其中AI相关的销售额将超过6000亿日元，在中国大陆营收占比接近45%；未来，在AI相关先进设备的需求带动下，TEL的营收目标是在2027财年达到集团中长期目标的3万亿日元。
天域半导体展出高品质8英寸碳化硅外延晶片
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天域半导体主要从事各类碳化硅外延片的设计、研发及制造，产品主要应用于电动汽车、光伏、储能、铁路等领域。
本次展会，天域半导体展出了高品质8英寸碳化硅外延晶片，展示了该公司在碳化硅半导体材料领域的技术水平和创新实力，以及在市场应用等方面的卓越表现。
2024年末，天域半导体递表港交所，寻求赴港上市。据悉，此次IPO，拟将所得资金用于扩张产能、提升研发与创新能力、战略投资/收购、以及扩展市场等方面。随着国内第三代半导体市场需求的快速增长，天域半导体频繁受到资本青睐，已经完成多轮融资，投资方包括比亚迪、上汽尚颀、海尔资本等。
中机新材主推3款产品
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中机新材专注于高性能研磨抛光材料基础研发与应用研究，会上展出了3款自主研发的主推产品——团聚金刚石研磨液、二氧化硅精抛液、金刚石减薄砂轮。
其中，团聚金刚石研磨液采用原料自主研发，选择优质金刚石原材料合成球形结构金刚石，用于金刚石液。特殊配方、分散性好、粒度均匀、去除率高、低损伤层。产品研磨速率稳定、使用率高、切削速率快、加工表面一致性好。
二氧化硅精抛液，该产品采用高纯度硅溶胶为主要原料，氧化硅粒径分布均匀，悬浮体系稳定，分散性好。适用于SiC精抛、蓝宝石精抛、陶瓷精抛、铝合金精抛、不锈钢精抛的抛光工序。
金刚石减薄砂轮——使用日本住友工艺，可以做到其他金刚石磨料无法达到的表面质量；金刚石砂轮硬度高、强度大、研削能力强。主要用于研削硬质合金、非金属材料等硬脆材料，尤其是碳化硅、单晶硅、蓝宝石衬底材质等。
万业企业旗下凯世通展示全系列集成电路离子注入机产品矩阵
source：集邦化合物半导体拍摄
本届SEMICON China展会现场，万业企业旗下凯世通带来了全系列集成电路离子注入机产品矩阵。通过长期的技术攻关与量产应用，凯世通离子注入机在离子源、光路系统、晶圆传送、颗粒污染物控制、软件自动化等关键技术方面进行了持续升级迭代，关键性能指标持续改进，获得了晶圆厂客户的广泛认可。
自2020年首台订单突破以来，凯世通累计收获12英寸集成电路离子注入机设备订单近60台，订单总金额超14亿，其中50%以上为重复订单，完成产线交付超40台并实现量产，服务了十余家重点芯片制造企业与国家工程。
先导科技集团董事长、万业企业董事长兼总裁、凯世通董事长朱世会先生受邀出席大会开幕式，共话凯世通聚焦高端半导体装备离子注入机的技术创新与发展战略，以及在控股股东先导科技集团的赋能下，万业企业未来业务的协同发展方向。
朱世会先生表示，先导科技集团历经30年发展，在材料科技、光电子、微电子、零部件、芯片设计和软件算法等多个技术领域形成全产业链平台优势，依托不断深化客户合作开发、完善的供应链体系以及强大的零部件自主研发能力，将积极赋能万业企业和旗下的凯世通在国产集成电路离子注入机技术研发与生产制造，不断夯实零部件供应链基础，为国内集成电路客户高质量发展贡献更多卓越的解决方案。
晶盛机电半导体装备全链布局
source：晶盛
晶盛机电展示了全面升级的大硅片抛光装备、面向先进制程的薄膜沉积装备、全系列精密减薄装备、化合物半导体全系列工艺装备和高精度量测装备等解决方案。
以12英寸外延炉为首的薄膜沉积装备，采用差异化的技术路线与不断创新迭代的产品思维，为不同终端客户提供国产化解决方案，产品指标达国际先进水平；以12英寸减薄抛光机领衔的先进封装设备，实现30um超薄晶圆与5mm大翘曲晶圆稳定加工，为高集成、低功耗的芯片制造提供全新的工艺路径
其中，在功率半导体领域，晶盛机电8英寸SiC中束流离子注入机，可实现晶格损伤实时修复与掺杂剂高效激活；8英寸立式SiC氧化炉、激活炉，超高的均匀性控制技术，已实现稳定量产。此外，升级后的SiC晶圆量测设备及SiC晶圆表面激光退火设备，为碳化硅功率器件的效率提升与成本控制开辟了新路径。
纳设智能展示8英寸碳化硅外延设备
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纳设智能主要从事第三代半导体碳化硅、新型光伏材料、纳米材料等先进材料领域所需的薄膜沉积设备等高端设备的研发、生产和销售，该公司专注于工艺指标、耗材成本、维护效率等方面的持续优化改进。
会上，纳设智能展示了8英寸碳化硅外延设备，该设备独创的反应腔室设计配备可独立控制的多区进气系统，在厚度均匀性、浓度均匀性、缺陷密度等工艺指标上均达到行业先进水平。
顺应市场降本增效的需求，纳设智能8英寸碳化硅外延设备还做到了低成本易维护，在控制成本的同时提供规模化生产能力。
芯三代展示大规模量产型碳化硅/氮化镓外延生长设备
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芯三代公司聚焦碳化硅、氮化镓等第三代半导体外延设备研发、制造、销售和服务，未来将扩展多种半导体设备。
本次展会上，芯三代对外展示了大规模量产型碳化硅外延生长设备（垂直气流SiC-CVD）：SICCESS系列单双腔垂直流设备，产能大于等于1100片/月（双腔），通过工艺优化可以超过1200片/月，外延规格为8吋（兼容6吋），多区控温，并在CoO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率等方面具备优势。
此外，芯三代氮化镓外延生长设备（GaN-CVD）SiCCESS系列双腔设备同样具备高产能、兼容8吋/6吋特点，同时还具有高外延均匀性、低外延缺陷等特性。
青禾晶元展示C2W&W2W双模混合键合设备
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本次展会上，青禾晶元展示了其最新发布的C2W&W2W双模混合键合设备：SAB 82CWW系列，可应用于存储器、Micro-LED显示、CMOS图像传感器、光电集成等多个领域。
该设备采用了全球先进的一体化设备架构，将C2W和W2W两种技术路线结合。这不仅提高了设备的通用性和灵活性，还为客户提供了更大的选择空间，满足了不同应用场景的需求。
青禾晶元介绍，SAB 82CWW系列通过键合方式创新，最大程度的减少颗粒污染的风险，实现高良率键合；可兼容8寸和12寸晶圆；能够处理厚度最薄至35μm的超薄芯片，同时具备全尺寸兼容性；配备高精度高通量检测模块和内置算法，实现负反馈偏移补偿，确保键合精度的稳定性和一致性。
山西天成提供6-12吋量产服务
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山西天成主要展出碳化硅单晶量产过程涉及到的设备，粉料，籽晶，热场，工艺等配套产品及服务，可为客户提供6-12吋导电/半绝缘/光学镜片的一站式量产服务。
山西天成业务聚焦碳化硅晶片的生产和长晶装备制造，具备完整的自主研发能力，从设备研制、粉料、籽晶、热场设计到衬底制备全链条自主可控。
该公司现已完成6、8、12英寸碳化硅单晶衬底技术攻关，并掌握碳化硅生长装备制造、碳化硅粉料制备，导电型及高纯半绝缘碳化硅单晶衬底制备工艺，拥有碳化硅装备制造、粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线。
新微半导体展出氮化镓功率代工工艺平台
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作为化合物半导体领域代工企业，新微半导体在本次展会上重点展示了其覆盖低压（30V-40V）、中压（80V-200V）和高压（650V-900V）的氮化镓功率代工工艺平台和解决方案。这些先进的技术和工艺能力，能够为客户提供更高效、更可靠和更节能的功率代工平台。
此外，新微半导体还展示了其在3/4吋磷化铟（InP）与4/6吋砷化镓（GaAs）材料的全系列光电工艺解决方案，进一步彰显其在化合物半导体制造领域的技术实力。
稍早之前，新微半导体正式推出650V硅基氮化镓增强型（E-mode）功率工艺代工平台，凭借高频运行效率、超低栅极电荷及低导通电阻等卓越特性，为新一代高速、高效功率器件应用提供解决方案，可广泛应用于消费电子、工业自动化、数据中心及新能源汽车等领域。