国博电子:硅基氮化镓功放芯片成功量产应用

作者 | 发布日期 2025 年 11 月 04 日 15:02 | 分类 产业 , 氮化镓GaN

10月30日,国博电子公告称,公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功放芯片,在手机等终端中成功量产应用,累计交付数量超100万只。

图片来源:国博电子公告截图

国博电子表示,公司与国内头部终端厂商共同研发的硅基氮化镓功放芯片,针对手机等终端应用进行设计优化,填补了业内硅基氮化镓功放终端射频应用的空白。新产品攻克了硅基氮化镓外延的晶格缺陷比例高的材料难题,充分发挥了新型三代半导体材料的技术优势,在兼顾功率、效率、带宽等指标的前提下,实现了对传统砷化镓功放的性能提升,并突破了硅基氮化镓功放芯片的量产技术,在业内首次实现了硅基氮化镓功放芯片在终端射频领域的量产交付。

此外,新产品具备高功率、高效率、高宽带特性,可为客户进一步降低能耗,降低系统链路设计的复杂度,助力客户进一步提升手机等终端的数据传输速率、降低工作能耗。

国博电子预计公司新产品将持续对现有砷化镓终端功放产品形成替代,并有望在终端射频功放领域全频段、全场景推广应用,该产品系列有望为公司营收提供第二增长曲线。

资料显示,国博电子成立于2000年,主要从事有源相控阵T/R组件和射频集成电路相关产品的研发、生产和销售,产品覆盖防务与民用领域。在防务领域,为陆、海、空、天等各型装备配套关键产品;在民用领域,是基站射频器件核心供应商,产品性能达国际先进水平。

10月30日,国博电子公布最新财报,数据显示,2025年三季度,国博电子实现营业收入15.69亿元,当期净利润为2.47亿元,其中,T/R 组件和射频模块收入9.44亿元,占比88.19%;射频芯片收入9086.8万元,占比8.49%。

射频企业锚定氮化镓,竞逐新赛道

射频企业布局氮化镓(GaN)领域具有诸多优势。一方面,射频企业本身具备射频设计、电路优化等全链条经验,能降低氮化镓研发门槛,加速量产转化;同时,氮化镓的高频、高功率等特性,可精准匹配5G、毫米波通信等场景需求,与射频企业技术升级方向高度契合。此外,从市场看,5G、卫星互联网等领域催生大量氮化镓器件需求,射频企业布局可抢占新市场,构建第二增长曲线。

除国博电子外,行业内还有锐石创芯、锐捷创芯、慧智微、卓胜微、昂瑞微、唯捷创芯、紫光展锐等多家射频企业在氮化镓前端模块、功率放大器等方向持续技术攻坚。

例如,锐石创芯聚焦氮化镓射频前端模块开发,采用低温共烧陶瓷(LTCC)封装技术,将功率放大器模块尺寸缩小50%,显著提升散热效率,其产品在专网通信、卫星载荷等领域实现稳定供货,成为细分市场的重要参与者。

中瓷电子原是国内领先的电子陶瓷供应商,2023年通过资产重组,收购了河北博威集成电路有限公司和北京国联万众半导体科技有限公司的部分股权,新增了氮化镓通信基站射频芯片与器件等业务,构建了氮化镓通信基站射频芯片的完整产业链。

(集邦化合物半导体 金水 整理)

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