随着宽禁带半导体领域部分核心专利陆续到期,一场技术创新的浪潮正悄然兴起。英国初创公司#栅源漏半导体(Gate Source Drain Semiconductor Ltd)抓住这一历史机遇,正专注于研发新一代的专利保护型宽禁带半导体材料与器件。该公司计划在未来2-3年内,推出垂直...  [详内文]
英国这家初创公司,凭两大新专利进军GaN与SiC市场 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 11 日 14:01 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC |