近日,东莞市中镓半导体科技有限公司(以下简称“中镓半导体”)宣布取得重大技术突破,成功攻克6英寸及8英寸氮化镓(GaN)单晶衬底的制备技术。
图片来源:中镓半导体
这一成果依托于#中镓半导体 自主研发的超大型氢化物气相外延设备(HVPE),不仅填补了国际上HVPE工艺在6英寸及...  [详内文]
中镓半导体实现6/8英寸GaN衬底制备 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分类 企业 , 氮化镓GaN |
