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Soitec新加坡晶圆厂扩建项目开工，年产200万片SOI晶圆
作者 |发布日期 2022 年 12 月 13 日 17:12 | 分类 碳化硅SiC
近日，法国Soitec宣布，在新加坡巴西立晶圆工业园区的晶圆厂扩建项目正式破土动工。 据悉，工厂扩建将致力于生产300mm SOI晶圆，这些晶圆用于生产智能手机芯片，尤其是5G通信，以及汽车和智能设备。扩建工程于2024年完工后，将使Soitec新加坡工厂的年产能翻一番，达到约2...  [详内文]

解决“进口”依赖，突破sic晶体长厚的关键材料是什么？
作者 |发布日期 2022 年 12 月 12 日 17:27 | 分类 碳化硅SiC
“一次传质”工艺是采用一次传质的新热场，传质效率提高且基本恒定，降低再结晶影响（避免二次传质），有效降低了微管或其它关联晶体缺陷。平衡气相组分，隔断微量杂质，调节局部温度，减少碳包裹等物理性颗粒，在满足晶体可用的前提下，晶体厚度大幅增加，是解决晶体长厚的核心技术之一。 恒普科技在...  [详内文]

闻泰科技与鼎泰匠芯晶圆厂签署68亿元代工协议
作者 |发布日期 2022 年 12 月 12 日 17:25 | 分类 碳化硅SiC
12月10日，闻泰科技发布公告，基于日常业务经营需要，公司拟与鼎泰匠芯开展合作，公司（或下属子公司）将在12英寸功率器件和功率IC晶圆的开发和制造领域向鼎泰匠芯采购代工晶圆，合同总金额预计将达到68亿元人民币。 闻泰科技表示，公司半导体业务具有丰富的车规级产品线，产品车规质量突出...  [详内文]

科友第三代半导体项目预计年底生产4~5万片碳化硅衬底
作者 |发布日期 2022 年 12 月 12 日 17:20 | 分类 碳化硅SiC
据报道，科友第三代半导体产学研聚集区项目一期目前周产碳化硅衬底2至3千片以上，预计年底将生产4至5万片。 科友半导体副总经理段树国表示，目前生产车间里已经安装完100台长晶炉，后续还要安装100台。预计全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。 项目是由哈尔滨科友半...  [详内文]

新洁能预计明年Q2实现SiC MOSFET产品的销售
作者 |发布日期 2022 年 12 月 09 日 17:32 | 分类 碳化硅SiC
昨日，新洁能在业绩说明会上表示，公司将碳化硅业务视作近期以及未来发展的重点项目，重点应用于新能源汽车、光伏等相关领域，预计明年Q2将实现SiC MOSFET产品的销售。公司的相关产品在充电桩客户端送样顺利，预计2023年Q1将实现销售放量。 公司将碳化硅业务视作公司近期以及未来发...  [详内文]

比亚迪半导体，没有对手
作者 |发布日期 2022 年 12 月 09 日 17:32 | 分类 碳化硅SiC
2002年，比亚迪上市之初，王传福拿着筹集的20亿元，却面临一个抉择，是要进入半导体，还是要造车，20亿的资金只能选一条路，第二年，比亚迪收购了西安北方秦川，开始了造车之路。 时间来到2008年，这年9月，巴菲特以8港元入股比亚迪2.25亿股，一个月后，比亚迪再次斥资20亿，买下...  [详内文]

安泰科技超薄纳米晶材料正式进军第三代半导体行业
作者 |发布日期 2022 年 12 月 08 日 17:12 | 分类 碳化硅SiC
近日，安泰科技获得科技部“十四五”国家重点研发计划“高端功能与智能材料”支持，成功申请2022年度科技部重点专项——面向第三代半导体应用的高频软磁材料(共性关键技术)项目，标志着安泰科技超薄纳米晶材料正式进军第三代半导体行业。 据了解，安泰科技成立于1998年，主要经营新技术、新...  [详内文]

铭镓半导体在4英寸氧化镓晶圆衬底技术领域获突破
作者 |发布日期 2022 年 12 月 08 日 17:09 | 分类 氮化镓GaN
近期，北京铭镓半导体有限公司（以下简称：铭镓半导体）使用导模法成功制备了高质量4英寸（001）主面氧化镓（β-Ga2O3）单晶，完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破，并且进行了多次重复性实验，成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸（001）相单晶衬底生长技术的产业化公司。 铭...  [详内文]

国产氮化镓外延龙头晶湛半导体再获数亿元融资
作者 |发布日期 2022 年 12 月 08 日 17:05 | 分类 氮化镓GaN
近日，第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成数亿元C轮融资，这是继今年3月完成B+轮数亿元战略融资以来的又一轮融资。 本轮增资由蔚来资本、美团龙珠领投，华兴资本旗下华兴新经济基金、欣柯资本等跟投，老股东歌尔微电子、三七互娱等继续加码。 晶湛半导体创始人、总裁程凯博士表示...  [详内文]