最新文章

华为持股,云南锗业子公司再获融资

作者 |发布日期 2024 年 12 月 23 日 14:30 | 分类 企业
12月19日,云南锗业发布公告称,同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司(以下简称““鑫耀半导体”)以增资扩股方式引入新的投资者:深创投制造业转型升级新材料基金(有限合伙)(以下简称“深创投基金”)、深圳市远致星火私募股权投资基金合伙企业(有限合伙)(以下简称“远致星火”)。 ...  [详内文]

美迪凯:第三代半导体封测已实现小批量生产

作者 |发布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月18日,美迪凯在投资者互动平台对业务进展情况进行了介绍,其中包括第三代半导体相关进展。 据介绍,美迪凯微电子的年产20亿颗(件、套)半导体器件建设项目和美迪凯光学半导体的半导体晶圆制造及封测项目都在按计划推进;公司射频芯片主要为设计公司代工,Normal SAW、TC-SA...  [详内文]

机器人,氮化镓下一个风口?

作者 |发布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分类 产业 , 功率 , 氮化镓GaN
氮化镓(GaN)材料具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率、高击穿电压、化学稳定性等特点,以及较强的抗辐射、抗高温、抗高压能力,这些特性使得氮化镓在功率半导体器件、光电子器件以及射频电子器件等领域具有广阔的应用前景。 目前,功率氮化镓在消费电子领域应用已渐入佳境,并正在逐步向各类应用...  [详内文]

四川巴中经开区功率器件封装项目设备进场

作者 |发布日期 2024 年 12 月 20 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月18日,据“巴中经开区”官微消息,位于四川巴中经开区东西部协作产业园二期的功率器件封装生产基地项目,首批58台封装设备于12月18日正式进场,标志着该项目进入投产前的冲刺阶段。 source:巴中经开区 据项目负责人介绍,第一批58台设备主要是封装前端固晶、共晶热机设备,...  [详内文]

62亿,美国企业投建金刚石晶圆厂

作者 |发布日期 2024 年 12 月 19 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月17日,据EEnews Europe报道,西班牙政府已获得欧洲委员会批准,将向美国人造金刚石厂商Diamond Foundry的西班牙子公司Diamond Foundry Europe提供8100万欧元(约6.13亿人民币)的补贴,以支持其在西班牙特鲁希略建造一座总投资额8...  [详内文]

200亿,长飞先进武汉碳化硅基地预计明年5月量产通线

作者 |发布日期 2024 年 12 月 19 日 18:00 | 分类 产业 , 企业
12月18日,据长飞先进官微消息,长飞先进武汉基地项目首批设备搬入仪式于光谷科学岛举办。 source:长飞先进 据介绍,长飞先进武汉基地项目本次搬入的设备涵盖芯片制造各个环节,包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等。目前,长飞先进武汉基地项目正推进建设并对设备进行安装调试,预计...  [详内文]

环球晶圆碳化硅外延在美国扩产

作者 |发布日期 2024 年 12 月 19 日 17:21 | 分类 企业
当地时间12月17日,美国商务部宣布向环球晶圆美国子公司GlobalWafers America(GWA)及MEMC LLC(MEMC)最高可达4.06亿美元(约人民币29.63亿元)的直接补助。 环球晶圆表示,补助将用于支持公司位于德州谢尔曼市(Texas)及密苏里州圣彼得斯市...  [详内文]

投资近百亿,格力碳化硅芯片工厂建成投产

作者 |发布日期 2024 年 12 月 18 日 18:00 | 分类 企业
12月18日消息,格力电器董事长董明珠日前在《珍知酌见》栏目中表示,格力芯片成功了。据董明珠介绍,格力在芯片领域从自主研发、自主设计、自主制造到整个全产业链已经完成。 图片来源:拍信网正版图库 据报道,格力芯片工厂是一座投资近百亿元建设的碳化硅芯片工厂。该项目于2022年12月...  [详内文]

金信新材料芯片用8英寸碳化硅晶锭项目完成研发

作者 |发布日期 2024 年 12 月 18 日 18:00 | 分类 企业
12月18日消息,武汉金信新材料有限公司(以下简称:金信新材料)芯片用8英寸碳化硅晶锭项目完成研发,通过了行业专家验证。 source:长江新区 资料显示,金信新材料主要研发生产半导体碳化硅晶锭、半导体超高纯碳化硅粉料及超纯碳化硅结构件等产品,广泛应用于芯片和光伏领域。 金信新...  [详内文]

X-fab推出新一代碳化硅MOS工艺平台

作者 |发布日期 2024 年 12 月 18 日 16:47 | 分类 功率
12月17日,碳化硅(SiC)晶圆代工厂商X-fab推出了新一代XbloX平台XSICM03。该平台可推进SiC工艺技术在功率MOSFET的应用,并显著降低单元间距,从而在不影响可靠性的前提下增加了每片晶圆芯片数量并改善导通电阻。 source:X-fab X-fab介绍,Xb...  [详内文]