6月5日，理想汽车官方公众号发文表示，近期理想汽车在第37届ISPSD（功率半导体器件和集成电路国际会议）上发表了与车规级碳化硅相关的论文。
该篇论文来自理想汽车自研SiC芯片团队，论文题为《1200V汽车级碳化硅MOSFET芯片击穿电压离群芯片的分析与筛选技术研究》，展示了碳化硅芯片是怎样失效的，为什么会失效，还告诉大家“CT机”怎么制造，从而可以具备透视能力，将这类问题芯片挑出来。
最后，理想汽车团队还提出了根本性的解决方法：从碳化硅晶体生长工艺着手，这对整体提升产业内SiC芯片的可靠性表现具有重要意义。
图片来源：有个理想
理想汽车表示，SiC芯片在电动汽车高压平台上的大规模应用已成为趋势。未来，理想汽车将深度结合汽车应用需求，持续研发、不断前行，追求更安全、更高效的SiC芯片，让用户出行的每一程都更加安全无忧。
资料显示，理想汽车在碳化硅芯片领域已实现从研发到量产的关键跨越。2025年2月，其自研的碳化硅功率芯片完成装机，苏州半导体生产基地同步量产自产碳化硅功率模块，常州电驱动基地也下线了集成该技术的新一代电驱动总成。这一成果直接应用于首款纯电MPV理想MEGA，该车型搭载800V SiC高压平台，实现5C快充（峰值功率超500kW），百公里能耗仅15.9kWh，四驱车型能耗低于多数纯电轿车。
为保障碳化硅器件稳定供应，理想汽车采取“自研+合作”双轨并行模式，合作方面，理想汽车与湖南三安半导体成立苏州斯科半导体，规划年产能240万只碳化硅半桥功率模块，2024年投产，覆盖高压纯电平台需求；与意法半导体签署长期供货协议，获取SiC MOSFET支持高压纯电战略；续签安森美EliteSiC 1200V裸芯片协议，应用于下一代800V车型。
（集邦化合物半导体 Flora 整理）
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