最新文章

镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用

作者 |发布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分类 企业
11月15日,据镓仁半导体官微消息,镓仁半导体氧化镓二期工厂近日正式启用。新工厂在晶体生长、晶圆加工和外延生长等关键环节引入了先进的产业化设备,预计将显著提升产能,以满足全球市场对氧化镓晶圆衬底和外延片的增长需求。 source:镓仁半导体 据介绍,在二期工厂中,镓仁半导体自主...  [详内文]

碳化硅功率器件厂商基本半导体完成股份改制

作者 |发布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分类 企业
11月15日,据基本半导体官微披露,基本半导体成功完成股份改制及工商变更登记手续,公司名称正式变更为“深圳基本半导体股份有限公司”。 图片来源:拍信网正版图库 从11月15日起,基本半导体所有业务经营活动将统一采用新名称“深圳基本半导体股份有限公司”。公司注册地址变更至青铜剑科...  [详内文]

拟募资5.02亿元,黄山谷捷创业板IPO注册生效

作者 |发布日期 2024 年 11 月 18 日 18:00 | 分类 企业
深交所披露信息显示,黄山谷捷股份有限公司(以下简称:黄山谷捷)创业板IPO已于11月6日注册生效。 招股书显示,黄山谷捷是一家专业从事功率半导体模块散热基板研发、生产和销售的国家高新技术企业,系车规级功率半导体模块散热基板行业的领先企业。公司产品主要应用于新能源汽车领域,是新能...  [详内文]

广州粤升半导体商宣布碳化硅外延设备大批量出货

作者 |发布日期 2024 年 11 月 18 日 17:28 | 分类 企业
11月18日,广州粤升半导体设备有限公司(下文简称“广州粤升”)宣布,公司已在今年9月实现碳化硅(SiC)外延设备的大批量出货。 source:广州粤升 广州粤升表示,此批设备在第一代外延炉基础上做了进一步优化设计,具备生产高质量、高稳定性的外延片生产能力。 资料显示,广州粤升...  [详内文]

美国向韩国碳化硅晶圆厂提供39亿贷款

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:59 | 分类 企业
11月12日,美国能源部宣布向SK Siltron CCS提供5.44亿美元(折合人民币约39.32亿元)贷款(4.815亿美元本金和6250万美元资本化利息),以扩大用于电动汽车(EV)电力电子设备的高质量碳化硅(SiC)晶圆的在美制造。 公开资料显示,SK Siltron C...  [详内文]

广东珠海100亿碳化硅相关项目投产

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:58 | 分类 功率
据珠海网消息,11月14日,总投资约100亿元的珠海奕源半导体材料产业基地项目在金湾区半导体产业园开工建设。 source:观海融媒 据介绍,珠海奕源项目是北京奕斯伟集团聚焦半导体行业上游先进材料,在金湾区打造的集研发、生产、销售于一体的半导体材料产业基地。该项目由华发集团战略...  [详内文]

深重投国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台亮相

作者 |发布日期 2024 年 11 月 15 日 17:57 | 分类 功率
11月15日,深重投集团投建的国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台在中国国际高新技术成果交易会(简称:高交会)上,召开建成发布会。 source:高交会 据介绍,建成发布的深圳综合平台具备碳化硅、氮化镓及超宽禁带功率材料与器件研发、集成设计及试制能力。 深圳综合平台主要由三...  [详内文]

国宇电子硅基GaN芯片项目签约落地

作者 |发布日期 2024 年 11 月 14 日 10:49 | 分类 企业
11月13日,据“扬州经开区发布”官微消息,扬州2024(北京)经济社会发展汇报会于11月12日举行。扬州经开区现场签约央企合作项目2个,总投资36亿元,其中之一为中国电子科技集团与绿投集团国宇电子功率芯片项目。 source:扬州经开区发布 该项目总投资11亿元,其中一期项目...  [详内文]

天岳先进发布12英寸碳化硅衬底

作者 |发布日期 2024 年 11 月 14 日 10:40 | 分类 企业
11月14日,天岳先进官微披露,2024德国慕尼黑半导体展览会(Semicon Europe 2024)于11月12日正式开幕,天岳先进携全系列碳化硅(SiC)衬底产品亮相,并于11月13日发布了12英寸(300mm)N型碳化硅衬底产品,标志着碳化硅产业正式迈入超大尺寸碳化硅衬底...  [详内文]

含沟槽栅碳化硅MOSFET,晶能、三菱电机、悉智科技发布新品

作者 |发布日期 2024 年 11 月 13 日 18:00 | 分类 产业
近日,晶能、三菱电机、悉智科技相继发布了碳化硅功率器件/模块新品,其中包括沟槽栅SiC-MOSFET。 晶能发布太乙混合功率器件,采用SiC&IGBT并联设计 11月12日,据晶能微电子官微消息,由吉利汽车集团中央研究院新能源开发中心、技术规划中心、电子电器中心和零部件产...  [详内文]