碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。
近日,浙大杭州科创中心先进半导体研究院首炉碳化硅单晶成功“出炉”,这是研究院的半导体材料研究室在科创中心首席科学家杨德仁院士指导...  [详内文]
浙大杭州科创中心先进半导体研究院首个碳化硅单晶出炉 |
| 作者 Wen, James|发布日期 2020 年 12 月 02 日 12:01 | 分类 产业 |
