近日媒体报道,湖南三安半导体(以下简称“湖南三安”)于今年8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技术平台,在碳化硅功率器件领域实现重大技术突破。
湖南三安Trench MOSFET技术平台导通电阻最低达1.75 mΩ·cm²,击穿电压超过1400V,核心静态性能处于行业...  [详内文]
湖南三安碳化硅器件领域实现新突破 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 08 月 29 日 14:21 | 分类 碳化硅SiC |