4月9日,英特尔代工服务宣布实现重大技术突破,成功研发出全球最薄氮化镓(GaN)芯粒,其基底硅片厚度仅19微米,约为人类头发丝直径的1/5。
该芯粒基于300毫米(12英寸)标准硅基氮化镓晶圆制造,采用英特尔自研的隐切减薄工艺实现超薄片化,在极致轻薄的同时,保障了结构完整性与性能...  [详内文]
英特尔推出全球最薄氮化镓芯粒 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 04 月 10 日 13:05 | 分类 氮化镓GaN |
