近期,信越化学宣布,比利时微电子研究中心(imec)利用QST衬底[一种300mm氮化镓(GaN)生长衬底]制造出厚度为5μm的GaN HEMT结构,实现了超过650V的高击穿电压。
资料显示,QST衬底是由美国公司Qromis开发的专用于GaN生长的复合材料衬底。信越化学于20...  [详内文]
12英寸氮化镓再传新进展 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分类 氮化镓GaN |
