10月18日，凌锐半导体（上海）有限公司（下文简称“凌锐半导体”）官方公众号发文宣布，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。
据介绍，该产品具备开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动的特点，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
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目前凌锐1200V 18毫欧和35毫欧SiC MOS已达量产阶段，并在Q4实现客户端批量交货。
同时，公司正积极布局研发下一代更高性能的产品。
凌锐半导体专注第三代半导体SiC车规级芯片研发与销售，公司自创立起，精准定位高端车规级MOSFET，对标国际一线大厂产品，并与产业链上下游建立了深度合作，目前有多款产品通过核心客户测试验证，并已获得多家同行业上市公司的战略入股。（文：集邦化合物半导体Morty整理）
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