近日，智新半导体二期产线顺利下线首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块，该批产品已完成自主封装、测试以及应用老化试验。
据悉，智新半导体碳化硅模块项目于2021年进行前期先行开发，去年12月正式立项为量产项目。该项目以智新半导体封装技术为引领，实现了从模块设计、封装测试、电控应用到整车路试等环节关键核心技术的自主掌控。
据智新半导体介绍，该碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，使用高性能氮化硅陶瓷衬板和定制化pin-fin散热铜衬底，热阻较传统工艺改善10%以上，工作温度可达175℃，损耗相比IGBT模块大幅降低40%以上，整车续航里程提升5%-8%。
资料显示，碳化硅宽禁带半导体是国家“十四五”规划纲要中重点关注的科技前沿领域攻关项目，同时具备高禁带宽度、高电子迁移率、高导热等特点，使得碳化硅模块具有高效率、高压、高工作温度几大优势，在中高端新能源汽车中的应用越来越普及。
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值得关注的是，近期碳化硅功率模块相关厂商动作频频。英飞凌、现代和起亚在10月18日发布声明称，三方已签署碳化硅和硅功率半导体供应协议。根据协议，英飞凌将在未来数年内向现代起亚供应相关产品，现代起亚则出资支持前者产能建设与储备。
随后在10月26日-27日，基本半导体正式发布第二代碳化硅MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅MOSFET功率模块、功率器件门极驱动器及驱动芯片等系列新品，基本半导体功率器件整体解决方案同期亮相。
据基本半导体介绍，此次发布的第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在品质系数因子、开关损耗以及可靠性等方面表现更出色，可广泛应用于新能源汽车电机控制器、车载电源、充电桩等领域。
此外，中瑞宏芯半导体近日完成近亿元人民币产投融资，由禾迈股份和纳芯微联合投资。中瑞宏芯表示，本轮融资将继续用于碳化硅器件的技术研发创新、生产运营及市场拓展，全面提升公司在SiC功率半导体行业核心竞争力。（化合物半导体市场Zac整理）
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