Transphorm和Allegro MicroSystems于昨日（11/15）宣布合作，联合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔离栅极驱动器，借此扩展GaN电源系统设计在高功率应用范围。
据介绍，Transphorm的SuperGaN FET设计可用于在各种拓扑结构中，并可提供多种样式的封装，能够支持宽功率范围，同时满足不同的终端应用要求。SuperGaN FET用于包括更高功率的系统在内的多种商业产品，事实证明它们可以显著提高可靠性、功率密度和效率。
而Allegro的自供电、单通道隔离式栅极驱动IC针对在多种应用和电路中驱动GaN FET进行了优化。与同类栅极驱动器相比，AHV85110的驱动器效率高出了50%。与市场上其他解决方案相比，其噪声和共模电容分别降为1/10和1/15，并且这种特定的解决方案大大简化了系统设计。
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“Allegro的AHV85110高压栅极驱动器拥有高度紧凑的结构且高效的功率，从而实现减少约30%占地面积，同时减少外部元件的数量和对Transphorm电源设备的偏置电源要求。”Transphorm全球销售和FAE副总裁Tushar Dhayagude说道，“在竞争技术方面，SuperGaN具有最可靠和卓越的动态开关性能，生成一个更高效、更高能的解决方案，并应用于服务器、数据中心、新能源电动汽车等更高功率密度的场景。”
Allegro MicroSystems副总裁兼高压电源总经理Vijay Mangtani表示：“我们很高兴与Transphorm开展合作，进一步支持 Allegro帮助客户优化有关GaN的系统开发和设计。”“我们期待有机会将我们的高压隔离栅极驱动器 AHV85110与Transphorm的SuperGaN FET相结合，以更小的外观尺寸拥有更高的功率密度、更高的效率和更高的功率输出，并为我们和 Transphorm的客户带来收益。”（化合物半导体市场Morty编译）
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