德国半导体沉积设备厂商爱思强（AIXTRON）昨日（11/21）宣布，半导体代工厂BelGaN将采用公司的新型G10-GaN外延系统用以扩展自身业务。
据介绍，新型G10-GaN系统拥有一流的性能、全新紧凑设计以及可以大大降低每片晶圆的整体成本。该系统初始配置为8x150mm规格，将于2023年底之前交付到位于比利时奥德纳尔德的BelGaN生产基地，并将在未来升级到5x200mm规格。
BelGaN是欧洲领先的GaN（氮化镓）汽车级半导体开放式代工厂，近期宣布将生产依托650V eGaN技术的第一代产品。
G10-GaN系统用于Si、SOI和新型工程衬底的GaN外延片制造，可进一步拓宽额定电压为400-1200V的功率芯片使用范围。该系统针对多种功率GaN产品，可帮助提高产品性能、车用品质、可靠性以及产量并且降低成本。
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“使用MOCVD（金属有机化学气相沉积技术）的GaN外延是所有功率GaN技术中最关键的工艺，既可以创新器件架构，提高产品性能、晶圆良率和质量，又可以降低GaN产品的成本。这推动了GaN在电力电子领域的范式转变，在电动汽车、数据通信、能源转换等领域开辟了快速增长的市场，向电气化、碳中和社会更进一步。爱思强全新G10平台的高水平生产力、一致性和低成本给我们留下了深刻的印象。”BelGaN首席技术官兼业务开发副总裁Marnix Tack表示：“爱思强位于GaN Valley TM生态系统之中，与其团队的合作可帮助我们快速实现创新和生产目标。”
据介绍，全新的G10-GaN集群解决方案拥有爱思强当前的G5+ C工具相同的基本原理，并在其基础上，扩展了每个功能的性能指标：在相同的洁净室生产面积的情况下，新平台的生产力比原先提高了两倍，同时让所生产的材料平均性能提升一个档次，为爱思强的客户解锁了新的竞争力。
与市场上的其他设备相比，G10-GaN可实现成本降低 25%以上，为爱思强的客户提供了很大的帮助。G10-GaN还拥有洁净室每平方米的最高吞吐量，并且通过其端到端的全自动化，成为唯一专为硅晶圆厂设计的MOCVD系统。
SiC/GaN市场爆火，强势拉动了相关设备产商的营收。
根据爱思强此前公布2023第三季度财报显示，前三季度爱思强84%的营收来自设备销售，16%来自售后服务与备件业务。GaN和SiC应用领域高需求带动设备销售增长，是爱思强前三季度营收成长的主要原因。
对于Q3业绩增长的原因，爱思强指出，主要是公司推出了G10-GaN，完成了新一代G10产品系列的推出。
除此之外，爱思强曾表示，集团正在为几家重要客户的生产设施建设提供支持，所提供的设备可帮助客户实现SiC/GaN器件的大规模生产，下单用户其中就有三星。此前，三星就已决定购买爱思强的MOCVD设备，用于加工GaN和SiC晶圆，投资规模预计至少达到7000亿-8000亿韩元（约为5.4亿-6.2亿美元）。爱思强能获得这些大厂的订单，G10-SiC、G10-AsP和G10-GaN等新一代G10产品系列发挥了重要作用。（集邦化合物半导体Rick编译）
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