近日，世纪金芯与日本某客户签订SiC衬底订单。按照协议约定，世纪金芯将于2024年、2025年、2026年连续三年向该客户交付8英寸SiC衬底共13万片，订单价值约2亿美元（折合人民币约14.5亿元）。
资料显示，世纪金芯成立于2019年12月，致力于第三代半导体SiC功能材料研发与生产，已经解决了高纯SiC粉料提纯技术、6英寸SiC单晶制备等关键技术。
世纪金芯指出，基于公司长期技术沉淀，近期8英寸SiC衬底片也取得重大突破，公司开发的8英寸SiC单晶生长技术可重复生长出4H晶型100%、直径大于200mm、厚度超过10mm的晶体，产品各项指标均达到国际先进水平，通过进一步优化工艺，预期8英寸SiC晶锭厚度将达到20mm以上。
source：世纪金芯
世纪金芯还表示，目前，公司6英寸SiC衬底片已与国内几家头部外延及晶圆厂商达成订单合作；公司8英寸SiC衬底片与国内客户HT、ZDK某单位均已完成多批次产品验证，国际市场正在与台湾HY、JJ、韩国GJ实验室、SX进行产品验证，有望2024年下半年落成订单。
2024年2月合肥工厂8英寸SiC加工线也正式贯通并进入小批量生产，预计2024年7月可实现批量生产交付。（来源：世纪金芯、集邦化合物半导体整理）
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