麻省理工学院推出氮化镓与硅芯片3D集成新技术

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 24 日 14:44 | 分类氮化镓GaN

近日，麻省理工学院（MIT）的研究团队取得了一项重大技术突破，开发出一种创新的制造工艺，能够将高性能氮化镓（GaN）晶体管与标准硅芯片进行三维集成。这一成果有望显著提升高频应用（如视频通话和实时深度学习）的性能表现，为半导体技术的发展开辟新的道路。图片来源：麻省理工学院新闻 ... [详内文]

罗姆为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 24 日 14:27 | 分类企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

6月23日，罗姆宣布成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。罗姆介绍，公司不仅提供硅（Si）功率元器件，还拥有包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等#宽禁带半导体在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。罗姆的Si MOSFET... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 23 日 14:29 | 分类氮化镓GaN

近期，深圳平湖实验室的论文《肖特基型p-GaN栅HEMT中双跨导峰与单跨导峰的演变：部分耗尽与完全耗尽p-GaN层的影响》被IEEE ISPSD确认接收，论文第一作者为刘轩博士，通讯作者为万玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵盖了功率半导体器件、功率集成电路、工艺... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 18 日 13:53 | 分类企业 , 氮化镓GaN

“先为科技”官微消息，6月16日无锡先为科技有限公司首台 GaN MOCVD BrillMO 外延设备正式发往国内头部的化合物半导体企业。图片来源：先为科技先为科技表示，此次发货的 GaN MOCVD BrillMO 外延设备，各项性能均达到行业领先水平。该设备运用特有的温... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 13 日 17:00 | 分类企业 , 氮化镓GaN

在科技飞速发展的当下，氮化镓（GaN）技术正以其卓越的性能，为电源领域带来一场深刻变革。近期，MPS芯源系统和小米生态链企业酷态科，分别推出集成氮化镓技术的新产品，引发行业广泛关注。 1、MPS发布集成氮化镓的高效电源方案 6月初，MPS芯源系统发布两款新品——NovoOne开关... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 11 日 17:11 | 分类企业 , 氮化镓GaN

近日，华东理科大学上海市智能感知与检测技术重点实验室智能传感团队在氮化镓晶圆检测研究中取得重要进展。图片来源：华东理科大学团队利用开发的二维有机薄膜忆阻器实现了有图案晶圆的缺陷检测和无图案晶圆的表面粗糙度分类。相关研究成果以“Covalent organic framew... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分类企业 , 氮化镓GaN

氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）技术正迎来重大突破。近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术，预计2025年第三季度量产，这将显著提升高频射频电路性能，加速GaN技术在5G/... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 06 日 13:49 | 分类企业 , 氮化镓GaN

近日，中科无线半导体有限公司正式宣布，其基于氮化镓（GaN）HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已成功推出并投入商用。该芯片作为中科半导体机器人动力系统芯片家族 “机器人关节驱动器芯片系列” 的重要一员，具备卓越性能，可有效满足高功率密度场景需求。图片来源：中科半导体 ... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 05 日 15:30 | 分类企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC

近日，日本半导体大厂瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市... [详内文]

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 03 日 9:24 | 分类氮化镓GaN

近日，英国布里斯托大学研究团队在《自然·电子学》（Nature Electronics）期刊发表突破性研究，首次揭示了氮化镓（GaN）多通道晶体管中锁存效应的物理机制，并成功开发出超晶格城堡场效应晶体管（SLCFET）技术。图片来源：《自然·电子学》期刊截图该研究通过设计超... [详内文]