6月23日，罗姆宣布成为支持英伟达全新800V高压直流（HVDC）架构的主要硅供应商之一。
罗姆介绍，公司不仅提供硅（Si）功率元器件，还拥有包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等#宽禁带半导体 在内的丰富产品阵容，可为数据中心的设计提供更优解决方案。
罗姆的Si MOSFET代表产品“RY7P250BM”被全球云平台企业认证为推荐器件。该产品作为一款为AI服务器必备的热插拔电路专门设计的48V电源系统用100V功率MOSFET，以8080的小型封装实现业界超宽的SOA（安全工作区），并实现仅1.86mΩ的超低导通电阻。在要求高密度和高可用性的云平台中，有助于降低电力损耗并提升系统的可靠性。
图片来源：罗姆官网——图为罗姆产品RY7P250BM
此外，罗姆介绍，SiC元器件的优势在于可降低工业等领域中高电压、大电流应用的损耗。英伟达800V HVDC架构旨在为功率超过1MW的服务器机架供电，这对于推进其大规模部署计划也起着至关重要的作用。这一新型基础设施的核心在于可将电网的13.8kV交流电直接转换为800V的直流电。而传统的54V机架电源系统除了受物理空间限制（要满足小型化需求）外，还存在铜材使用量大、电力转换损耗高等问题。
罗姆的SiC MOSFET在高电压、大功率环境下可发挥出卓越性能，不仅能通过降低开关损耗和导通损耗来提高效率，还以超小体积实现了满足高密度系统设计要求的高可靠性。这些特性恰好与英伟达800V HVDC架构所追求“减少铜材使用量”、“将能量损耗最小化”以及“简化数据中心整体的电力转换”等需求相契合。
作为对SiC产品的补充，罗姆同时还积极推进GaN技术研发，现已推出EcoGaN™系列产品，包括150V和650V耐压的GaN HEMT、栅极驱动器以及集成了这些器件的Power Stage IC。SiC在高电压、大电流应用中表现出色，而GaN则在100V~650V电压范围内性能优异，具有出色的介电击穿强度、低导通电阻以及超高速开关特性。此外，在罗姆自有的Nano Pulse Control™技术的加持下，其开关性能得到进一步提升，脉冲宽度可缩短至最低2ns。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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