Tag Archives: 罗姆

产能增加3倍,罗姆子公司扩产SiC衬底

作者 |发布日期 2024 年 07 月 08 日 18:00 | 分类 企业
7月5日,据外媒报道,罗姆子公司SiCrystal GmbH将在德国纽伦堡东北部现有厂址的正对面新建一座生产厂房。新厂房将增加6000平方米的生产面积,并将配备最先进的技术,进一步提升SiC衬底的产能。毗邻现有工厂将确保生产流程的紧密结合。到2027年,包括现有厂房在内,SiCr...  [详内文]

聚焦碳化硅,罗姆与东芝联手深化功率半导体业务合作

作者 |发布日期 2024 年 05 月 13 日 18:28 | 分类 企业
据外媒报道,在罗姆近日召开的财务业绩发布会上,公司总裁Isao Matsumoto(松本功)宣布,将于今年6月开始与东芝在半导体业务方面进行业务谈判,预计谈判将持续一年左右。两家公司旨在加强旗下半导体业务全方面合作,涵盖技术开发、生产、销售、采购和物流等领域。 松本功表示:“东芝...  [详内文]

2.3亿美元,罗姆与意法半导体扩大SiC晶圆供应合同

作者 |发布日期 2024 年 04 月 22 日 17:59 | 分类 企业
4月22日,罗姆与意法半导体(以下简称“ST”)宣布,罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)将扩大目前已持续多年的150mm(6英寸) SiC晶圆长期供应合同。 扩大后的合同约定未来数年向意法半导体供应在德国纽伦堡生产的SiC晶圆,预计合同期...  [详内文]

英飞凌、罗姆产品新进展

作者 |发布日期 2024 年 03 月 07 日 10:28 | 分类 功率
近日,英飞凌和罗姆两大SiC龙头在产品端公布了新进展。 英飞凌推出Cool SiC MOSFET G2 3月5日,英飞凌宣布,公司推出了下一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术产品,CoolSiC MOSFET G2系列产品。 source:英飞凌 英飞凌表示,新一代C...  [详内文]

193亿,罗姆和东芝携手生产SiC功率器件

作者 |发布日期 2023 年 12 月 08 日 17:27 | 分类 功率
12月7日,根据外国媒体报道,为巩固自身在电动汽车零部件领域的地位,罗姆(ROHM)和东芝宣布将合作生产碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半导体器件,这一计划得到了日本政府的支持。 ROHM和东芝将分别对SiC和Si功率器件进行密集投资,两者将依据对方生产力优势进行互补,有效提高供...  [详内文]

罗姆宣布明年在日本生产8英寸SiC衬底

作者 |发布日期 2023 年 11 月 07 日 17:28 | 分类 功率
罗姆半导体(Rohm)株式会社社长松本功近日在2023年11月财报电话会议上宣布,将在位于日本宫崎县的第二家工厂生产8英寸SiC衬底,主要供该公司内部使用,预计将于2024年开始投产。这将是罗姆首次在日本生产SiC衬底。 据悉,宫崎第二工厂规划项目是罗姆近几年产能扩张计划的一部分...  [详内文]

这个153亿美元半导体收购案,罗姆也要参与?

作者 |发布日期 2023 年 07 月 19 日 17:45 | 分类 碳化硅SiC
据日经亚洲报道,日本芯片制造商罗姆公司将向私募股权公司Japan Industrial Partners(JIP)牵头的财团提供总计3000亿日元(约21.6亿美元)的资金,用于拟议收购东芝。 罗姆在近期的董事会会议上决定,如果要约收购成功,将向JIP领导的投资基金投资1000亿...  [详内文]

比亚迪、天岳先进、罗姆扩产!

作者 |发布日期 2023 年 07 月 13 日 14:11 | 分类 碳化硅SiC
近期,SiC行业热情持续高涨,市场又传来了不少与扩产相关的消息,其中三家分别是天岳先进、比亚迪及罗姆ROHM。 天岳半导体6英寸SiC衬底产能将扩大至96万片/年 天岳先进在上海临港扩建SiC项目,该项目由其全资子公司天岳半导体主导。5月消息,上海临港新片区管理委员会对外公示了...  [详内文]

罗姆确立新技术,更好地激发GaN等高速开关器件性能

作者 |发布日期 2023 年 03 月 14 日 17:22 | 分类 氮化镓GaN
近日,罗姆(ROHM)宣布确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。 Source:罗姆 近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。 在...  [详内文]