近日，罗姆表示，公司650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被村田制作所Murata Power Solutions的AI服务器电源采用，预计该电源单元将于2025年开始量产。
source：罗姆半导体集团
村田表示，利用GaN HEMT的高速开关工作、低寄生电容以及零反向恢复特性，可将对开关损耗的影响控制到最小，还可提高开关转换器的工作频率并削减磁性元器件的尺寸。罗姆的GaN HEMT在性能方面非常具有竞争力，且可靠性也很高，用在村田的AI服务器5.5kW输出电源单元中，取得了非常好的效果。未来，公司将通过继续与在功率半导体领域优势显著的罗姆合作，努力提高各种电源的效率，为解决电力供需紧张的社会课题贡献力量。
氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料，凭借其高频、高效、高功率密度等特性，正在AI服务器市场中扮演越来越重要的角色。
氮化镓在AI服务器中主要用于电源管理系统，特别是DC-DC（直流-直流）转换器。随着AI服务器功率密度从300W提升至1700W，传统硅基器件难以满足高效能需求，而氮化镓可将能耗降低50%，显著提升电源转换效率。
AI服务器对机柜功率要求从30-40kW增至100kW，氮化镓的高功率密度特性使其能在更小体积下实现更高性能，降低散热需求，优化数据中心空间利用率。
此外，氮化镓的快速开关速度（比硅基快10倍以上）可提升服务器响应速度，满足AI推理场景的实时性需求，例如图像识别和自然语言处理。（集邦化合物半导体整理）
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