近日,国研院国仪中心与鼎极科技宣布达成合作,共同开发「红外线奈秒雷射应用于碳化硅晶圆研磨制程」关键技术,成功提升碳化硅晶圆研磨速率与品质,降低制程成本与材料损耗,以应对电动车、5G、低轨卫星等高效能电子元件日益增长需求。
碳化硅作为第三代半导体材料的代表,凭借其宽禁带、高击穿电场...  [详内文]
又一碳化硅合作达成,聚焦SiC晶圆加工环节 |
作者 KikiWang|发布日期 2025 年 06 月 26 日 13:57 | 分类 企业 , 碳化硅SiC |