在新能源汽车、AI算力中心等下游场景需求爆发驱动下，国内碳化硅产业正迎来技术迭代与产能扩张的双重突破。
近日，捷捷微电、蓝箭电子、国联万众、晶升股份、精进电动、时代电气等产业链各环节企业密集披露最新进展，涵盖8英寸产线升级、核心设备量产、终端产品出口及先进技术定型等关键领域。
1、蓝箭电子氮化镓与碳化硅产品送样，量产节奏待评估
1月22日，蓝箭电子在互动平台回答投资者提问时表示，公司的氮化镓GaN产品和碳化硅Sic已成功完成了多款相关产品的研发和客户送样，该业务的具体推进节奏与战略规划，将主要依据市场需求动态、客户反馈及后续订单情况等因素综合评估后确定。公司将密切关注市场情况，保持技术储备和产品迭代的灵活性，以稳健、务实的策略推动相关业务的可持续发展。
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资料显示，蓝箭电子主要从事半导体封装测试业务，为半导体行业及下游领域提供分立器件和集成电路产品。在在碳化硅与氮化镓领域以封测为核心，同步推进 SiC/GaN 器件封测技术研发、产品送样与客户拓展。
2、捷捷微电：与高校合作研发碳化硅，产品未量产市场待拓展
1月20日，捷捷微电在互动平台称，公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和碳化硅相关发明专利5件和实用新型专利6件，此外，公司还有8个发明专利尚在申请受理中。
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公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。公司下游客户众多并分散，且应用领域广泛，新能源汽车、光伏及储能等新能源行业市场空间巨大，公司重点拓展汽车电子、电源类及工业类市场，努力提高这几个领域的产品占比，目前在新能源汽车领域应用的产品销售占比正逐步提升。
资料显示，捷捷微电1995年成立、2017年创业板上市，公司专注功率半导体分立器件，覆盖芯片到器件全流程，产品分四大类，应用于消费电子、汽车电子、工业控制、新能源等领域。
3、国联万众碳化硅芯片晶圆工艺线升级为8英寸
1月20日，中瓷电子在互动平台回答投资者提问时表示，子公司#国联万众 碳化硅芯片晶圆工艺线经过升级改造由6英寸升级为8英寸，目前已通线，处于产品升级及客户导入阶段，今后将有效提升国联万众碳化硅功率产品的市场竞争力。
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中瓷电子是拥有氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷等核心业务能力的高科技企业。
此外，中瓷电子还透露，子公司博威公司正在进行两项募投项目，分别是氮化镓微波产品精密制造生产线建设项目和通信功放与微波集成电路研发中心建设项目。这些项目目前处于建设阶段，主要服务于5G通信、微波通信和卫星通信等领域。公司表示，投资者可以通过其指定的信息披露平台获取项目的最新进展。
4、晶升股份8英寸碳化硅长晶设备业务增长趋势明确
1月19日，晶升股份在回答投资者提问时表示，随着半导体行业的复苏，目前公司业务整体情况较去年呈现逐步改善的态势。碳化硅方面的新增批量需求已由6英寸转为8英寸，8英寸碳化硅长晶设备业务增长趋势明确，已签订单及意向性订单均有增加。
同时，AR眼镜和先进封装中介层等其他下游新兴应用为12英寸碳化硅设备带来了新的增量需求。另外，半导体硅方面推出多款产品，意向性订单正与客户紧密沟通并积极推动中。
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资料显示，晶升股份成立于2012年，2023年科创板上市，专注半导体级晶体生长设备研发、生产与销售，核心为半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉。
晶升股份自2017年启动碳化硅单晶炉研发，2018年首台产品交付客户，产品矩阵覆盖6-12英寸，核心包括JSSD、SCET420、SCMP等系列PVT法碳化硅单晶炉及SCMP/LP系列TSSG法设备，适配导电型、半绝缘型衬底生长，8英寸SCMP系列已批量供应三安光电、天岳先进、比亚迪等头部客户。
5、精进电动已向欧洲批量出口碳化硅控制器
1月19日，精进电动在互动平台回答投资者提问时表示，公司已向欧洲批量出口碳化硅控制器，用于欧洲重卡市场。另外公司有出口至欧洲的三合一产品配套客户多个车型。为欧洲客户开发的乘用车紧凑型三合一电驱动系统的开发工作进展顺利，预计2027年投产。
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资料显示，精进电动成立于2008年，专注电驱动系统研发、生产与销售，自主掌握驱动电机、控制器、传动总成及软件控制核心技术，提供“三合一”电驱动总成等系统级解决方案，覆盖乘用车、商用车及非汽车新能源领域。
在碳化硅领域，精进电动核心聚焦800V高压平台SiC控制器研发与产业化，自主掌握全栈技术并采用国产自主可控车规级芯片，推出功率可达300kW、最高效率99.6%的SiC控制器及集成化三合一电驱系统。
产能方面，山东菏泽基地二期年产30万台碳化硅及硅基控制器项目于2025年启动建设并分阶段投产，2025年8月已实现批量生产。
6、时代电气：当前公司SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型
1月16日，时代电气在互动平台回答投资者提问时表示，当前公司SiC第四代沟槽栅产品已完成设计定型，达行业先进水平，第五代SiC技术也已完成布局。
目前SiC重点产品包括3300V高压平面栅SiC MOSFET、1200V精细平面栅SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V沟槽栅SiC MOSFET性能指标基本对标国际龙头企业。
公司SiC MOSFET覆盖650V-6500V电压等级，适合高频/大功率密度系统要求，可广泛应用于新能源汽车、不间断电源（UPS）、风力发电、光伏逆变器、铁路运输、工业、智能电网等领域。
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7、结语
此次国联万众8英寸碳化硅芯片晶圆工艺线通线、晶升股份8英寸长晶设备批量供应头部客户、精进电动实现碳化硅控制器欧洲批量出口，以及时代电气第四代沟槽栅产品完成设计定型，集中展现了国内碳化硅产业链从设备、芯片到终端应用的阶段性突破。
未来，国内碳化硅产业将逐步夯实规模化竞争基础，进一步衔接新能源汽车、通信等下游市场需求，推动产业链各环节协同升级。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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