9月23日，深圳平湖实验室对外公布第四代半导体研发进展，团队成功制备高性能金刚石肖特基势垒二极管（SBD）以及氢终端金刚石MOSFET功率器件，多项关键指标达到国内领先水平。
金刚石被视作超宽禁带半导体的核心材料，拥有极高击穿场强、载流子迁移率与导热能力，理论上适配高压、高温、高频的极端工况，是轨道交通、航空航天、深地勘探场景的理想功率器件。但金刚石材料掺杂难度大、器件表面稳定性差，一直是全球行业共同面临的技术瓶颈。
据官方介绍，本次推出的金刚石SBD器件，在不增加场板的设计条件下，击穿电压突破3000V，功率巴利加优值超过25MW/cm²，器件能够在500℃高温环境持续工作。同期研发的氢终端金刚石MOSFET，无场板击穿电压达到2500V，BFOM指标31MW/cm²，在400℃环境下器件性能没有明显衰减。团队还验证了器件无金制备工艺，这条路线可以降低后续和传统硅制造产线的兼容门槛，为后续工程化验证打下基础。
深圳平湖实验室作为国家第三代半导体技术创新中心（深圳）运营主体，长期布局碳化硅、氧化镓、金刚石等宽禁带、超宽禁带半导体研究，搭建8英寸功率半导体中试共享平台。金刚石方向属于实验室第四代半导体课题组重点攻关赛道，本次成果是该团队在金刚石功率器件方向阶段性技术突破。
（集邦化合物半导体整理）
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