9月23日，合肥芯谷微电子6英寸砷化镓（GaAs）晶圆制造项目迎来关键节点，产线先进光刻机完成搬入。据集微网报道，本次设备进场将支撑该化合物半导体产线的工艺建设，推进企业向IDM模式转型。
该6英寸GaAs晶圆制造项目落地于合肥高新区，项目总投资约11亿元，目标打通芯片设计、晶圆制造到封装测试全链条能力。本次进场的先进光刻机，面向GaAs化合物半导体的光刻工艺需求，用于射频微波单片集成电路制造。设备到位后，将开展设备安装、调试与工艺验证工作，提升栅极线条控制精度，支撑更小栅长、更高频率MMIC器件的生产制备。
合肥芯谷微电子2014年在合肥高新区设立，主营微波、毫米波单片集成电路研发与生产，产品覆盖DC至110GHz频段，包含低噪声放大器、功率放大器、射频开关、移相器等MMIC芯片，产品应用于通信、雷达、电子对抗等场景。企业当前处于上市辅导阶段，正在推进IPO相关筹备工作。
项目建成后，合肥芯谷微电子将实现从Fabless设计企业向IDM垂直整合制造厂商转型。依托6英寸GaAs产线，企业可自主完成砷化镓射频芯片晶圆制造，完善本土射频化合物半导体制造产能。项目建设期间，企业将按计划完成剩余配套设备进场、洁净室工艺调试等一系列工程工作。
砷化镓作为主流化合物半导体材料，是射频微波芯片的核心基材，广泛用于卫星通信、5G毫米波、雷达探测等高频电子设备。合肥高新区持续布局化合物半导体产业集群，该项目落地将补齐区域GaAs晶圆制造环节。
（集邦化合物半导体整理）
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