10月14日晚间，武汉天源发布对外投资公告，公司召开第六届董事会第三十三次会议，审议通过项目投资议案，计划总投资5亿元，在云南楚雄高新区建设年产200吨6N/7N级高纯铟、年产100吨磷化铟多晶生产基地项目，与楚雄高新技术产业开发区管委会签署项目合作协议。
图片来源：武汉天源公告截图
项目选址楚雄高新区云甸化工园区，规划用地约45亩，项目固定资产投资不低于3亿元，由公司新设全资子公司负责投资、建设与运营。项目建设工期为取得施工许可证后12个月，资金来源为企业自筹，其中自有资金约1亿元，银行贷款约4亿元。
根据公告披露，项目分为高纯铟生产系统与磷化铟多晶生产系统两大板块，配套建设洁净厂房、超纯水车间、研发中心及环保处理设施。项目建成达产后，可实现年产200吨6N/7N级高纯铟、年产100吨磷化铟多晶。
磷化铟多晶属于化合物半导体核心原材料，可用于光通信芯片、红外探测器件、射频器件等产品，高纯铟同样是化合物半导体制造的关键稀贵金属原料。
武汉天源原有主营业务为环境治理、绿色能源业务，主营污水处理、工业固废处置、节能环保工程等相关服务。本次在化合物半导体材料领域的大额投资，并非公司初次布局磷化铟赛道。
2026年8月，武汉天源公告出资750万元收购中讯半导体60%股权。中讯半导体主营磷化铟相关半导体材料研发，本次股权收购，是武汉天源跨界切入磷化铟材料赛道的第一步，帮助公司获取相关技术、团队资源，搭建起半导体材料业务的运营主体。本次5亿元生产基地项目，是继股权收购之后，公司在磷化铟材料产业链上的实体产能落地规划。
（集邦化合物半导体整理）
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