最新文章

国内厂商实现6.5kV/10kV碳化硅MOSFET芯片高良率量产
作者 |发布日期 2026 年 03 月 26 日 13:43 | 分类 碳化硅SiC
据媒体报道，合肥安海半导体股份有限公司（简称“安海半导体”）近日宣布，其自主研发的6.5kV/40mΩ与10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片，已通过浙江大学电气工程学院实验检验，并经由中国科学院电工研究所高频场控功率器件及装置产品质量检验中心现场见证测试，目前...  [详内文]

苏州第三代半导体厂商完成新一轮融资
作者 |发布日期 2026 年 03 月 26 日 13:42 | 分类 企业
近期，苏州中瑞宏芯半导体有限公司（下文简称：中瑞宏芯）完成新一轮融资，由两家上市公司联合投资，分别为纳芯微和优优绿能。 中瑞宏芯成立于2021年6月，主要研发和生产功率芯片和模块，深耕第三代半导体SiC领域，主要产品包括SiC二极管、SiC MOSFET、SiC功率模块、SiC外...  [详内文]

4.08亿元，国内功率半导体再迎新收购
作者 |发布日期 2026 年 03 月 26 日 13:41 | 分类 企业 , 功率
3月24日，东微半导发布公告，计划以4.08亿元收购深圳慧能泰半导体科技有限公司（简称“慧能泰”）53.0921%的股权。 此次收购完成后，慧能泰将成为东微半导的控股子公司，并入其合并财务报表。 图片来源：东微半导公告截图 东微半导表示，此举旨在整合双方在协议芯片与数字控制IC...  [详内文]

深圳：前瞻布局下一代功率半导体技术
作者 |发布日期 2026 年 03 月 25 日 14:32 | 分类 功率
深圳市工业和信息化局近日印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026—2028年）》。 核心芯片方面，计划提出，支持国产GPU、NPU、CPU、DPU等核心芯片产品加快应用和迭代，形成完整产业生态，鼓励基于RISC-V架构的高性能计算芯片研发与产业化，发展...  [详内文]

瑞萨电子推出全新GaN充电方案
作者 |发布日期 2026 年 03 月 25 日 14:29 | 分类 氮化镓GaN
3月23日，Renesas（瑞萨电子）宣布，推出基于氮化镓（GaN）的半波LLC（Half-wavd LLC, HWLLC）平台及其四款控制器IC RRW11011、RRW30120、RRW40120和RRW43110，进一步扩展其交流/直流（AC/DC）转换器及电源适配器解决方...  [详内文]

博世、Wolfspeed公布最新碳化硅技术进展！
作者 |发布日期 2026 年 03 月 25 日 14:25 | 分类 碳化硅SiC
AI与HPC时代，对高效能、高稳定性的半导体材料需求激增，碳化硅凭借其出色的热导率、高击穿电场强度及低开关损耗等特性，成为推动这些领域发展的关键力量。博世与Wolfspeed作为碳化硅技术的领航者，不断突破技术边界，为碳化硅的广泛应用铺平道路。近期，两家大厂传出最新进展。 01、...  [详内文]

三星8英寸GaN生产线将就绪
作者 |发布日期 2026 年 03 月 24 日 15:08 | 分类 氮化镓GaN
据韩媒THE ELEC于2026年3月19日报道，三星的8英寸氮化镓（GaN）生产线已准备就绪。 三星半导体在2023年曾宣布其功率半导体晶圆厂将于2025年投产，但实际进度有所滞后。据最新行业消息，三星的首条8英寸GaN生产线预计最快将于2026年第二季度投产，初期营收规模预计...  [详内文]

亿元融资扎堆，多家第三代半导体企业获投
作者 |发布日期 2026 年 03 月 24 日 14:58 | 分类 企业
近日，第三代半导体领域融资热度持续攀升，杭州创锐光谱科技集团有限公司（下称“创锐光谱”）完成超亿元A轮融资，苏州镓耀半导体科技有限公司（下称“苏州镓耀半导体”）正式完成近亿元A轮融资，山东晶镓半导体有限公司（下称“山东晶镓半导体”）顺利完成Pre-A轮融资。 1、山东晶镓半导体超...  [详内文]

增幅19%，国内半导体厂商注册资本增至44亿元
作者 |发布日期 2026 年 03 月 23 日 15:41 | 分类 企业
近日，国内第三代化合物半导体厂商英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”）发生工商变更，注册资本增至44亿元，相较此前的37亿元，增幅达19%。 资料显示，英诺赛科成立于2015年，由英诺赛科（苏州）科技股份有限公司全资持股，是氮化镓工艺创新与功率器件制造厂商，其氮化...  [详内文]