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近眼显示浪潮来袭，碳化硅/氮化镓等半导体材料如何助攻？
作者 |发布日期 2025 年 11 月 20 日 13:57 | 分类 产业
2025年是近眼显示技术（Near-Eye Display,NED）从实验性产品向消费级市场渗透的关键节点。AI大模型与近眼显示的融合催生新应用场景，如实时语音翻译、空间导航等，市场需求从娱乐向办公、工业、医疗等垂直领域扩展。 全球科技巨头正加速布局AR/VR领域，苹果Visio...  [详内文]

6000万元，氮化镓相关厂商布局光刻机赛道
作者 |发布日期 2025 年 11 月 20 日 13:57 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
11月18日，北京赛微电子股份有限公司（简称“赛微电子”）发布公告，计划以不超过6000万元的交易总价收购北京芯东来半导体科技有限公司的部分股权。 赛微电子拟分别购买芯东来原股东海南依迈、智能传感产业基金、浔元投资、海创智能装备持有的4.11%、3.00%、2.80%和1.09%...  [详内文]

Wolfspeed 发布两款全新1200V碳化硅模块
作者 |发布日期 2025 年 11 月 19 日 14:33 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布，其面向电动汽车（EV）牵引逆变系统推出两大全新1200V碳化硅功率模块系列。这两大系列均搭载Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技术和创新封装工艺，旨在提供前所未有的系统耐久性、效率与设计灵活性，为电动汽车的性能和可靠性树立...  [详内文]

这家氧化镓公司落户晋江并完成天使轮融资
作者 |发布日期 2025 年 11 月 19 日 14:28 | 分类 氧化镓
随着高功率器件性能需求的持续提升，氧化镓凭借超宽禁带、高击穿电场等优势，被视为理想的第四代功率半导体材料，吸引国内厂商不断布局，近期氧化镓领域再次传出新动态。 “晋江产经报道”官微消息，近日，晋江西安离岸创新中心孵化出的第一个产业化项目，专注于第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓科...  [详内文]

12英寸氮化镓再传新进展
作者 |发布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分类 氮化镓GaN
近期，信越化学宣布，比利时微电子研究中心（imec）利用QST衬底[一种300mm氮化镓(GaN)生长衬底]制造出厚度为5μm的GaN HEMT结构，实现了超过650V的高击穿电压。 资料显示，QST衬底是由美国公司Qromis开发的专用于GaN生长的复合材料衬底。信越化学于20...  [详内文]

三家企业推进 GaN/SiC 技术新进展
作者 |发布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半导体行业迎来重要技术进展，英飞凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企业分别在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)领域取得新进展。 01、英飞凌推出首款100V车规级GaN晶体管 11月6日，英飞凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车...  [详内文]

芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台
作者 |发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分类 碳化硅SiC
11月16日，芯联集成宣布正式发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。 据介绍，该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及...  [详内文]