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近眼显示浪潮来袭,碳化硅/氮化镓等半导体材料如何助攻?

作者 |发布日期 2025 年 11 月 20 日 13:57 | 分类 产业
2025年是近眼显示技术(Near-Eye Display,NED)从实验性产品向消费级市场渗透的关键节点。AI大模型与近眼显示的融合催生新应用场景,如实时语音翻译、空间导航等,市场需求从娱乐向办公、工业、医疗等垂直领域扩展。 全球科技巨头正加速布局AR/VR领域,苹果Visio...  [详内文]

6000万元,氮化镓相关厂商布局光刻机赛道

作者 |发布日期 2025 年 11 月 20 日 13:57 | 分类 企业 , 氮化镓GaN
11月18日,北京赛微电子股份有限公司(简称“赛微电子”)发布公告,计划以不超过6000万元的交易总价收购北京芯东来半导体科技有限公司的部分股权。 赛微电子拟分别购买芯东来原股东海南依迈、智能传感产业基金、浔元投资、海创智能装备持有的4.11%、3.00%、2.80%和1.09%...  [详内文]

Wolfspeed 发布两款全新1200V碳化硅模块

作者 |发布日期 2025 年 11 月 19 日 14:33 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布,其面向电动汽车(EV)牵引逆变系统推出两大全新1200V碳化硅功率模块系列。这两大系列均搭载Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技术和创新封装工艺,旨在提供前所未有的系统耐久性、效率与设计灵活性,为电动汽车的性能和可靠性树立...  [详内文]

这家氧化镓公司落户晋江并完成天使轮融资

作者 |发布日期 2025 年 11 月 19 日 14:28 | 分类 氧化镓
随着高功率器件性能需求的持续提升,氧化镓凭借超宽禁带、高击穿电场等优势,被视为理想的第四代功率半导体材料,吸引国内厂商不断布局,近期氧化镓领域再次传出新动态。 “晋江产经报道”官微消息,近日,晋江西安离岸创新中心孵化出的第一个产业化项目,专注于第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓科...  [详内文]

12英寸氮化镓再传新进展

作者 |发布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分类 氮化镓GaN
近期,信越化学宣布,比利时微电子研究中心(imec)利用QST衬底[一种300mm氮化镓(GaN)生长衬底]制造出厚度为5μm的GaN HEMT结构,实现了超过650V的高击穿电压。 资料显示,QST衬底是由美国公司Qromis开发的专用于GaN生长的复合材料衬底。信越化学于20...  [详内文]

三家企业推进 GaN/SiC 技术新进展

作者 |发布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分类 企业 , 氮化镓GaN , 碳化硅SiC
近期,功率半导体行业迎来重要技术进展,英飞凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企业分别在氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)领域取得新进展。 01、英飞凌推出首款100V车规级GaN晶体管 11月6日,英飞凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽车电子委员会(AEC)汽车...  [详内文]

芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台

作者 |发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分类 碳化硅SiC
11月16日,芯联集成宣布正式发布全新碳化硅G2.0技术平台,采用了8英寸更先进制造技术,已达到全球领先水平。 据介绍,该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化,实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标,全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景,可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及...  [详内文]