10月20日,无锡利普思半导体有限公司扬州生产基地在扬州市江都区完成主体结构封顶。该基地为车规级第三代功率半导体模块项目,总投资10亿元,一期投资约2亿元,达产后预计形成年产150万只SiC模块的能力。项目于今年3月29日开工,预计2027年4月完成通线。
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利普思扬州车规级SiC模块基地封顶,一期规划年产能150万只 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 21 日 17:05 | 分类 碳化硅SiC |
