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深圳：前瞻布局下一代功率半导体技术
作者 |发布日期 2026 年 03 月 25 日 14:32 | 分类 功率
深圳市工业和信息化局近日印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026—2028年）》。 核心芯片方面，计划提出，支持国产GPU、NPU、CPU、DPU等核心芯片产品加快应用和迭代，形成完整产业生态，鼓励基于RISC-V架构的高性能计算芯片研发与产业化，发展...  [详内文]

瑞萨电子推出全新GaN充电方案
作者 |发布日期 2026 年 03 月 25 日 14:29 | 分类 氮化镓GaN
3月23日，Renesas（瑞萨电子）宣布，推出基于氮化镓（GaN）的半波LLC（Half-wavd LLC, HWLLC）平台及其四款控制器IC RRW11011、RRW30120、RRW40120和RRW43110，进一步扩展其交流/直流（AC/DC）转换器及电源适配器解决方...  [详内文]

博世、Wolfspeed公布最新碳化硅技术进展！
作者 |发布日期 2026 年 03 月 25 日 14:25 | 分类 碳化硅SiC
AI与HPC时代，对高效能、高稳定性的半导体材料需求激增，碳化硅凭借其出色的热导率、高击穿电场强度及低开关损耗等特性，成为推动这些领域发展的关键力量。博世与Wolfspeed作为碳化硅技术的领航者，不断突破技术边界，为碳化硅的广泛应用铺平道路。近期，两家大厂传出最新进展。 01、...  [详内文]

三星8英寸GaN生产线将就绪
作者 |发布日期 2026 年 03 月 24 日 15:08 | 分类 氮化镓GaN
据韩媒THE ELEC于2026年3月19日报道，三星的8英寸氮化镓（GaN）生产线已准备就绪。 三星半导体在2023年曾宣布其功率半导体晶圆厂将于2025年投产，但实际进度有所滞后。据最新行业消息，三星的首条8英寸GaN生产线预计最快将于2026年第二季度投产，初期营收规模预计...  [详内文]

亿元融资扎堆，多家第三代半导体企业获投
作者 |发布日期 2026 年 03 月 24 日 14:58 | 分类 企业
近日，第三代半导体领域融资热度持续攀升，杭州创锐光谱科技集团有限公司（下称“创锐光谱”）完成超亿元A轮融资，苏州镓耀半导体科技有限公司（下称“苏州镓耀半导体”）正式完成近亿元A轮融资，山东晶镓半导体有限公司（下称“山东晶镓半导体”）顺利完成Pre-A轮融资。 1、山东晶镓半导体超...  [详内文]

增幅19%，国内半导体厂商注册资本增至44亿元
作者 |发布日期 2026 年 03 月 23 日 15:41 | 分类 企业
近日，国内第三代化合物半导体厂商英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”）发生工商变更，注册资本增至44亿元，相较此前的37亿元，增幅达19%。 资料显示，英诺赛科成立于2015年，由英诺赛科（苏州）科技股份有限公司全资持股，是氮化镓工艺创新与功率器件制造厂商，其氮化...  [详内文]

两大功率半导体项目迎新进展！
作者 |发布日期 2026 年 03 月 23 日 15:36 | 分类 功率
近日，浙江省发改委正式印发浙江省扩大有效投资 “千项万亿” 工程2026年第一批重大建设项目清单。一大批集成电路、半导体、功率器件、晶圆制造、先进封测、存储芯片、光掩膜、半导体材料及设备项目集中入选。 其中涉及功率半导体的项目包括浙江瞻芯电子科技有限公司年产10.2万片碳化硅功率...  [详内文]

攻克超大尺寸难题，硅来实现12英寸碳化硅激光剥离量产设备规模化交付
作者 |发布日期 2026 年 03 月 23 日 15:03 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，硅来半导体（武汉）有限公司（以下简称“硅来”）第三批兼容12英寸碳化硅衬底激光剥离量产设备顺利交付客户。本次交付标志着硅来超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术已经成功通过产业化检验，将为碳化硅产业发展注入新的动能。 图片来源：硅来半导体 01、自主创新工艺领先，解决超大尺寸碳化...  [详内文]

长光华芯增资关联方，加码高端磷化铟激光器芯片
作者 |发布日期 2026 年 03 月 20 日 17:40 | 分类 企业 , 磷化铟
3月18日晚间，长光华芯发布公告称，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司（下称“研究院”）拟出资800万元，认购关联方苏州星沅光电科技有限公司（下称“星沅光电”）新增注册资本62.5万元。本次增资构成关联交易，已履行相关审议程序。 公告显示，星沅光电本轮总增资2...  [详内文]