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又有两家功率半导体企业发布涨价函!

作者 |发布日期 2026 年 02 月 14 日 13:58 | 分类 企业
近日,华润微电子(简称“华润微”)与杭州士兰微电子股份有限公司(简称“士兰微”)相继发布产品价格调整通知函,宣布上调相关半导体产品价格。 华润微发布涨价函称,受全球上游原材料及关键贵金属价格大幅攀升影响,公司晶圆制造与封测成本持续上升,同时半导体市场部分产品需求旺盛、产能紧张,即...  [详内文]

芬兰半导体激光器厂商Vexlum获千万欧元融资

作者 |发布日期 2026 年 02 月 14 日 13:58 | 分类 企业
近期,芬兰半导体激光技术开发商Vexlum正式宣布完成总额为1000万欧元(约合1100万美元)的综合融资。这笔资金将专门用于扩大其在芬兰的专有半导体芯片制造业务及激光技术规模。 根据Vexlum发布的官方新闻稿及芬兰政府投资机构Tesi的联合声明,本次融资结构包含了股权投资、政...  [详内文]

EPC与瑞萨电子达成氮化镓技术授权协议

作者 |发布日期 2026 年 02 月 14 日 13:57 | 分类 氮化镓GaN
近日,全球增强型氮化镓(eGaN)功率器件企业宜普电源转换公司(EPC)宣布,已与瑞萨电子(Renesas)签署一项全面的技术许可及第二来源(Second Sourcing)合作协议。 根据该协议,瑞萨将获得EPC经市场验证的低压eGaN技术及其成熟供应链生态系统的使用权,旨在通...  [详内文]

泛林集团与CEA-Leti达成协议,加速化合物半导体及特种工艺研发

作者 |发布日期 2026 年 02 月 13 日 15:21 | 分类 化合物半导体
近日,全球领先的半导体工艺设备供应商泛林集团(Lam Research)与法国微电子研究机构CEA-Leti正式宣布达成一项新的长期战略合作协议。 图片来源:泛林集团新闻稿 根据双方发布的官方新闻通稿,此次合作旨在加速下一代“特种技术”(Specialty Technologi...  [详内文]

东方日升首发全液冷碳化硅储能一体机

作者 |发布日期 2026 年 02 月 13 日 15:17 | 分类 碳化硅SiC
2026年2月12日,东方日升正式首发推出全液冷碳化硅(SiC)131kW/261kWh工商业储能一体机,该产品从系统架构、功率平台到安全与智能运维实现全面升级,针对性解决工商业储能项目效率损失、高温降额、运维复杂等核心痛点,为行业提供高功率、高效率、高可靠的储能解决方案。 据悉...  [详内文]

碳化硅大厂动态:英飞凌拿下关键订单,安森美业绩即将复苏?

作者 |发布日期 2026 年 02 月 13 日 15:13 | 分类 碳化硅SiC
近期,全球功率半导体领域的两大头部企业——英飞凌(Infineon)与安森美(onsemi)相继发布最新动态。英飞凌宣布其碳化硅(SiC)技术成功切入丰田汽车核心供应链;安森美发布最新财报,尽管季度营收同比下滑,但业绩指引显示出市场即将结束调整期的信号。 01、英飞凌:技术落地,...  [详内文]

青禾晶元联合西电取得金刚石半导体技术重大突破

作者 |发布日期 2026 年 02 月 12 日 16:28 | 分类 半导体产业
2026年2月9日,青禾晶元官网正式对外公布,其与西安电子科技大学联合技术团队在金刚石半导体材料领域取得重大技术突破,成功开发基于常温键合与H-Cut技术的金刚石薄膜高质量转移工艺,为金刚石半导体从实验室走向产业化应用扫清关键障碍。 金刚石被誉为“终极半导体材料”,凭借超高热导率...  [详内文]

英飞凌发布《2026年GaN技术展望》:氮化镓市场进入高速增长爆发期

作者 |发布日期 2026 年 02 月 12 日 16:23 | 分类 产业 , 氮化镓GaN
全球功率半导体领导者英飞凌(Infineon)近日正式发布白皮书《2026年GaN技术展望》,深度揭示了氮化镓(GaN)技术在未来几年的发展趋势、创新突破及其在塑造可持续未来中的关键作用 。 英飞凌指出,氮化镓(GaN)正作为一种变革性创新技术脱颖而出,在AI数据中心、人形机器人...  [详内文]

长光华芯扭亏、芯导科技并购,功率半导体释放两大信号!

作者 |发布日期 2026 年 02 月 12 日 16:19 | 分类 产业 , 企业
2026年2月,长光华芯与芯导科技相继披露了2025年业绩动态:前者受益于高功率激光业务回暖实现扭亏为盈,后者则在披露科创板首份年报的同时启动重大资产重组。两家公司的最新动向,折射出当前功率半导体赛道在技术突破与产业链整合层面的最新演进。 1、长光华芯:高功率激光业务驱动业绩修复...  [详内文]

源杰科技拟12.51亿元扩产!加码化合物半导体光芯片赛道

作者 |发布日期 2026 年 02 月 11 日 15:39 | 分类 企业
2月9日,源杰科技发布公告称,公司拟投资建设光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目,总投资金额约12.51亿元,资金来源为自有资金及自筹资金,项目尚需提交公司股东会审议通过后正式推进。 图片来源:源杰半导体公告截图 据悉,该二期项目选址于陕西省西咸新区沣西新城开元路126...  [详内文]