5月21日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货,该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统,同时也适用于可再生能源相关设备。
随着生成式AI的快速发展,功耗不断上升已成为数据中心面临...  [详内文]
东芝开始出货1200V沟槽栅SiC MOSFET测试样品 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 05 月 21 日 15:12 | 分类 碳化硅SiC |
