9月28日,Navitas宣布其已进入ALATTIS项目,承担下一代10kV级碳化硅IGBT的开发工作。公司计划把在SiC功率器件中积累的专有沟槽辅助平面(TAP)结构,从现有SiC MOSFET平台迁移到超高压SiC IGBT,使GeneSiC品牌的技术覆盖从650V至6.5k...  [详内文]
Navitas推进10kV SiC IGBT |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 09 月 30 日 15:40 | 分类 企业 , 碳化硅SiC |
