芯联集成发布全新碳化硅G2.0技术平台

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分类 碳化硅SiC | edit

11月16日，芯联集成宣布正式发布全新碳化硅G2.0技术平台，采用了8英寸更先进制造技术，已达到全球领先水平。 据介绍，该技术平台通过器件结构与工艺制程的双重优化，实现“高效率、高功率密度、高可靠”核心目标，全面覆盖电驱与电源两大核心应用场景，可广泛应用新能源汽车主驱、车载电源及...  [详内文]

第三代半导体产业新突破：扬杰科技、南通三责发力

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:30 | 分类 化合物半导体 | edit

全球半导体产业竞争日益激烈，第三代半导体产业凭借其独特的性能优势，成为各国竞相布局的关键领域。我国第三代半导体产业也在加速崛起，近期，扬杰科技与南通三责在第三代半导体相关领域取得重大进展。 1、扬杰科技斩获权威机构芯片国产化认证 近期，中国质量认证中心（CQC）为扬杰科技颁发全国...  [详内文]

两条半导体行业高端生产线在沈阳投产

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 17 日 14:22 | 分类 半导体产业 | edit

近日，沈阳经开区落地两条半导体高端零部件产线。辽宁汉京半导体产业基地宣布，国内首条“半导体碳化硅零部件生产线”和国内首条“10nm级极高纯石英生产线”已在沈阳经济技术开发区正式投产。 图片来源：辽宁省人民政府网 其中，备受关注的“半导体碳化硅零部件生产线”是辽宁汉京历时三年自主...  [详内文]

涉及三安光电、天岳先进等厂商，中国第三代半导体技术十大进展出炉

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 14 日 18:01 | 分类 化合物半导体 | edit

近期，第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛召开，会议现场揭晓“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”入选结果。 “全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”、“万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术”、“基于氮化镓Micro-LED的高速...  [详内文]

巨风半导体完成数亿元融资

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 14 日 17:59 | 分类 企业 | edit

近日，高端功率半导体芯片企业——巨风半导体宣布完成数亿元人民币的新一轮融资。本轮投资方为深创投、深重投、南山战新投、泽奕资本等多家知名机构。 资料显示，巨风半导体成立于2019年，专注于栅极驱动芯片、电源管理芯片、功率器件、功率集成方案等业务，是国内唯一一家自主研发全系列的驱动I...  [详内文]

功率大厂公布2025财年财报：营收39.43亿欧元

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 14 日 16:56 | 分类 企业 | edit

近日，英飞凌公布了2025财年第四季度及2025全年财报（数据均截至2025年9月30日）。 数据显示，2025财年第四季度英飞凌营收为39.43亿欧元，利润为7.17亿欧元，利润率18.2%。2025财年英飞凌营收为146.62亿欧元，同比下降2%；利润为25.6亿欧元；利润率...  [详内文]

昂坤视觉推出MicroLED专用外延检测设备E3200micro

作者 huang, Mia|发布日期 2025 年 11 月 13 日 15:53 | 分类 企业 , 光电 | edit

昂坤视觉近期推出了针对MicroLED外延检测高端设备E3200micro，该设备在昂坤视觉上一代两款蓝绿光和红光外延片检测设备的基础上，检测光学系统重新做了设计和提升，在一台设备上集成了表面缺陷和红，蓝和绿光外延片的荧光缺陷检测。表面颗粒的最小精度达到了60nm，荧光缺陷像素分...  [详内文]

全球首座量子金刚石晶圆厂正式启用

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 13 日 14:19 | 分类 半导体产业 | edit

11月6日，全球领先的大规模可部署室温金刚石量子技术公司Quantum Brilliance宣布正式启用其位于澳大利亚墨尔本的量子金刚石晶圆厂，这是世界上第一个致力于大规模生产量子级金刚石的商业设施。 资料显示，Quantum Brilliance是2019年从澳大利亚国立大学的...  [详内文]

助力功率半导体发展，镓未来Gen3平台发布

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 13 日 14:13 | 分类 功率 | edit

近日，珠海镓未来科技有限公司Gen3技术平台650/700V系列场效应晶体管（FET）正式宣布全面推广上市。 图片来源：镓未来 镓未来公司指出，该系列产品将从器件可靠性、效率最大化、应用集成度等方面重新定义功率半导体性能边界，其核心突破将为消费电子、新能源汽车、光伏逆变器等多领...  [详内文]

SiC基础原料偷偷涨，6英寸衬底价格血战，谁是最后的赢家？

作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 13 日 14:10 | 分类 碳化硅SiC | edit

截至2025年11月，碳化硅市场正经历关键的价值重估与结构性分化。在价格端，低端大宗原料成本推升价格上涨，而主流6英寸衬底则因产能过剩而持续暴跌。但在应用端，SiC凭借其卓越散热性能，极有可能成为NVIDIA Rubin平台和台积电先进封装中AI芯片散热的战略性关键材料，预示Si...  [详内文]