最新文章

国产8英寸SiC炉管套件与高温栅氧炉，完成中试验证
作者 |发布日期 2026 年 08 月 24 日 14:33 | 分类 碳化硅SiC
近日，国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉验证成果发布暨战略合作框架签约仪式，在深圳平湖实验室顺利举办。 该项目由深圳平湖实验室、深圳市志橙半导体材料股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所三方联合推进。 本次中试验证顺利落地，标志国内第三代半导体核心材料与...  [详内文]

富加镓业6英寸氧化镓晶锭等径厚度突破70毫米
作者 |发布日期 2026 年 08 月 24 日 14:26 | 分类 企业 , 氧化镓
近日，富加镓业对外公布6英寸氧化镓单晶材料最新研发进展，企业依托自主垂直布里奇曼（VB）生长工艺，制备出等径平均厚度达到70.58mm的6英寸氧化镓晶锭，样品分别经由平湖实验室、中国计量科学研究院完成两项关键指标检测，结晶品质与电学参数取得阶段性成果。 图片来源：富加镓业 根据...  [详内文]

扬杰科技上半年净利增28%，SiC业务近翻倍
作者 |发布日期 2026 年 08 月 24 日 14:21 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，扬杰科技发布2026年半年度报告。上半年公司实现营业收入45.15亿元，同比增长30.7%；归母净利润7.71亿元，同比增长28.2%；扣非净利润7.24亿元，同比增长29.6%。经营活动现金流净额为4.99亿元，同比下降34.1%。 图片来源：扬杰科技半年度报告截图 在...  [详内文]

加码高速磷化铟光芯片，42.68亿元产业园项目待落地
作者 |发布日期 2026 年 08 月 20 日 15:05 | 分类 磷化铟
8月19日晚间，源杰科技披露第三次临时股东大会会议材料，正式对外明确，公司计划投资建设源杰半导体科技产业园项目，项目总投资额约42.68亿元，同时提请股东大会审议，将全年综合授信额度上调至不超过60亿元，用来保障项目建设、产能扩张以及后续研发投入的资金需求。 产业园选址陕西省西咸...  [详内文]

扭亏、放量、净利翻倍：碳化硅赛道半年报透露三个关键信号
作者 |发布日期 2026 年 08 月 20 日 15:02 | 分类 企业
2026年上半年，碳化硅衬底与功率半导体领域多家A股上市公司相继披露半年报。在新能源汽车高压平台加速渗透、AI算力基础设施持续扩建的产业背景下，各家企业表现各有亮点，碳化硅衬底大尺寸化、车规级产品放量、第三代半导体研发推进等趋势持续深化。 01、天岳先进：8英寸衬底收入占比超50...  [详内文]

听百家言、观行业风！答案尽在 CSEAC 同期论坛中
作者 |发布日期 2026 年 08 月 19 日 17:50 | 分类 展会
2026年8月31日至9月2日，第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）将在无锡太湖国际博览中心开幕。由中国电子专用设备工业协会主办的第十四届(2026)中国电子专用设备工业协会半导体设备年会也将同期同地召开。 CSEAC 2026 规模新高：7万平方米，联动...  [详内文]

光通信巨头启动300mm碳化硅衬底送样
作者 |发布日期 2026 年 08 月 19 日 15:07 | 分类 碳化硅SiC
当地时间8月17日，光通信巨头Coherent宣布已开始向AI半导体领域的合作伙伴交付300mm高导热碳化硅衬底样品。这一进展标志着该公司可扩展材料平台正式从内部研发阶段进入客户验证环节。 随着AI处理器向更高功率密度演进，散热问题正成为制约系统性能、可靠性和数据中心效率的主要瓶...  [详内文]

银河微电携手复旦发布三款1200V SiC MOSFET，车规级产品已具备量产能力
作者 |发布日期 2026 年 08 月 19 日 15:03 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，常州银河世纪微电子股份有限公司与复旦大学联合举办SiC MOSFET新品发布会，正式推出三款1200V碳化硅功率器件。此次发布的产品基于双方近三年的产学研合作，围绕SiC器件封装设计、核心工艺、性能优化及可靠性验证等环节开展系统性研发，目前已有部分产品具备量产条件。 三款新...  [详内文]

突破散热瓶颈，军用氮化镓取得重大进展
作者 |发布日期 2026 年 08 月 18 日 14:58 | 分类 氮化镓GaN
8月12日，英国军工巨头BAE系统公司官宣，旗下FAST实验室顺利完成美国DARPA THREADS器件级电子散热项目第一阶段研发，顺利获批二期经费，正式启动下一阶段技术攻关，聚焦解决军用氮化镓（GaN）射频器件的散热瓶颈问题。 BAE系统是全球顶尖国防电子与航空航天龙头，长期承...  [详内文]