10月27日英飞凌宣布将在欧洲打造全球首个基于300毫米晶圆的新一代氮化镓(GaN)功率半导体大规模生产基地。项目选址奥地利菲拉赫工厂,计划到2034年累计投入约11亿欧元,改造升级厂区现有洁净室设施,新产线规划于2027年底投产。
欧盟委员会已批准为该项目提供3.19亿欧元国家...  [详内文]
全球首座300毫米GaN工厂,宣布投建! |
| 作者 KikiWang|发布日期 2026 年 10 月 28 日 18:16 | 分类 氮化镓GaN |
