近期,第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛召开,会议现场揭晓“2025年度中国第三代半导体技术十大进展”入选结果。
“全系列12英寸碳化硅衬底全球首发”、“万伏级SiC MOSFET器件的研制及其产业化技术”、“基于氮化镓Micro-LED的高速...  [详内文]
涉及三安光电、天岳先进等厂商,中国第三代半导体技术十大进展出炉 |
| 作者 KikiWang|发布日期 2025 年 11 月 14 日 18:01 | 分类 化合物半导体 |
