最新文章

增幅19%,国内半导体厂商注册资本增至44亿元

作者 |发布日期 2026 年 03 月 23 日 15:41 | 分类 企业
近日,国内第三代化合物半导体厂商英诺赛科(苏州)半导体有限公司(以下简称“英诺赛科”)发生工商变更,注册资本增至44亿元,相较此前的37亿元,增幅达19%。 资料显示,英诺赛科成立于2015年,由英诺赛科(苏州)科技股份有限公司全资持股,是氮化镓工艺创新与功率器件制造厂商,其氮化...  [详内文]

两大功率半导体项目迎新进展!

作者 |发布日期 2026 年 03 月 23 日 15:36 | 分类 功率
近日,浙江省发改委正式印发浙江省扩大有效投资 “千项万亿” 工程2026年第一批重大建设项目清单。一大批集成电路、半导体、功率器件、晶圆制造、先进封测、存储芯片、光掩膜、半导体材料及设备项目集中入选。 其中涉及功率半导体的项目包括浙江瞻芯电子科技有限公司年产10.2万片碳化硅功率...  [详内文]

攻克超大尺寸难题,硅来实现12英寸碳化硅激光剥离量产设备规模化交付

作者 |发布日期 2026 年 03 月 23 日 15:03 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日,硅来半导体(武汉)有限公司(以下简称“硅来”)第三批兼容12英寸碳化硅衬底激光剥离量产设备顺利交付客户。本次交付标志着硅来超大尺寸碳化硅衬底激光剥离技术已经成功通过产业化检验,将为碳化硅产业发展注入新的动能。 图片来源:硅来半导体 01、自主创新工艺领先,解决超大尺寸碳化...  [详内文]

长光华芯增资关联方,加码高端磷化铟激光器芯片

作者 |发布日期 2026 年 03 月 20 日 17:40 | 分类 企业 , 磷化铟
3月18日晚间,长光华芯发布公告称,公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司(下称“研究院”)拟出资800万元,认购关联方苏州星沅光电科技有限公司(下称“星沅光电”)新增注册资本62.5万元。本次增资构成关联交易,已履行相关审议程序。 公告显示,星沅光电本轮总增资2...  [详内文]

瀚天天成启动全球发售,即将在联交所挂牌上市

作者 |发布日期 2026 年 03 月 20 日 17:35 | 分类 企业
近日,媒体报道,3月20日至3月25日期间,瀚天天成开启全球发售,计划发行约2149.21万股H股,每股发售价定为76.26港元,预计3月30日在联交所正式挂牌上市。 此次发售中,香港公开发售部分占比10%,国际发售部分占比90%。公司引入了基石投资者厦门先进制造业基金,其协议认...  [详内文]

三家功率半导体相关厂商发布涨价消息

作者 |发布日期 2026 年 03 月 20 日 17:32 | 分类 功率
功率半导体涨价潮持续,近期市场传出又有三家相关厂商发布涨价消息。 安森美于2026年3月16日向客户发布调价通知,宣布自4月1日起对部分半导体产品实施价格调整,主要涉及电源、工业及数据中心应用相关产品,适用于该日期后所有新订单及现有积压订单的未交付订单。 安森美表示,此次价格调整...  [详内文]

两家企业达成氮化镓合作

作者 |发布日期 2026 年 03 月 19 日 18:04 | 分类 氮化镓GaN
近日,新风光电子科技股份有限公司与远山新材料科技有限公司在山东济宁签署战略合作框架协议,正式建立全面战略合作伙伴关系。 双方将聚焦第三代半导体技术在高端电力电子装备领域的应用,开展技术研发、产业配套及协同发展等全方位深度合作,重点探索高压氮化镓功率器件的联合开发与产业化落地路径。...  [详内文]

天岳先进8英寸碳化硅衬底获批量采购

作者 |发布日期 2026 年 03 月 19 日 18:01 | 分类 碳化硅SiC
天岳先进在近日的投资者关系活动中披露多项核心业务进展。 天岳先进表示,8英寸碳化硅衬底已成为当前核心增长极,作为全球第一家具备8英寸导电型衬底量产供应能力的企业,目前该产品的收入占比、出货占比均持续提升,并成功获得全球头部客户批量采购。 同时,公司强调,8英寸产品在良率、质量稳定...  [详内文]

唯一中国芯片企业!这家厂商斩获英伟达大奖

作者 |发布日期 2026 年 03 月 19 日 17:59 | 分类 企业
随着人工智能逐步进入由智能体(Agents)、物理AI及工业级部署驱动的新阶段,全球算力需求呈爆发式增长。在近日于美国加州圣何塞举行的NVIDIA GTC 2026大会上,英伟达创始人兼CEO黄仁勋预言,未来将形成万亿级算力基础设施市场。在这一进程中,如何提升数据中心能效、优化电...  [详内文]

三星电子计划今年生产SiC功率半导体样品

作者 |发布日期 2026 年 03 月 18 日 17:54 | 分类 碳化硅SiC
近期,媒体报道三星电子计划今年第三季度生产SiC(碳化硅)功率半导体样品,该公司已订购原材料和组件。 三星电子将推出的首款样品是一款平面SiC MOSFET, 聚焦车规级、工业级等高可靠性应用。未来三星还计划拓展沟槽型碳化硅MOSFET、碳化硅二极管、功率模块等全系列产品,完善碳...  [详内文]