最新文章

苏州纳米所在ISPSD 2026连发两项GaN功率器件突破
作者 |发布日期 2026 年 07 月 20 日 14:48 | 分类 氮化镓GaN
在日前举行的功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD 2026上，中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队连续发表了两项研究进展，分别针对高压GaN功率器件在工程应用中长期面临的两大瓶颈——栅极阈值电压漂移与导通电阻居高不下——给出了从物理机制到器件结构的系统性解决方案。 突破一：引...  [详内文]

又一新能源汽车采用SiC电驱
作者 |发布日期 2026 年 07 月 20 日 14:43 | 分类 碳化硅SiC
7月18日，领克汽车官方对外发布动力配置信息，即将于三季度上市的领克20车型，将搭载行业首创16合1后驱油冷碳化硅电驱系统，该套碳化硅电控方案由吉利控股旗下星驱科技自研打造，是同源“雷霆16合1智能电驱”技术首次下放至领克品牌量产车型。 整套电驱核心电控单元全部采用碳化硅功率器件...  [详内文]

德企获3.53亿欧元政府补贴，加码SiC外延晶圆
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:42 | 分类 碳化硅SiC
7月14日，欧盟委员会正式发布公告，批准总额6.59亿欧元德国国家补贴，支持四座欧洲首创半导体生产项目落地。其中德国中小企业Element 3-5 GmbH将获得3.53亿欧元直接资助，用于在北莱茵-威斯特法伦州巴斯韦勒（Baesweiler）建设碳化硅（SiC）外延晶圆生产工厂...  [详内文]

补齐8英寸SiC短板，平湖实验室实现沟槽型JFET全链条突破
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:39 | 分类 碳化硅SiC
在大功率、高压场景中，碳化硅功率器件正加速取代传统硅基器件，但沟槽型结构的制造难度长期制约着国产高端产品的量产进程。沟槽刻蚀均匀性与阈值电压的高度耦合，使得工艺窗口极为狭窄，良率难以提升，这一行业共性难题此前在国内始终缺乏系统性解决方案。近日，深圳平湖实验室第三代跃升研究团队在这...  [详内文]

年产60万片，这一8英寸SiC衬底项目加速投产
作者 |发布日期 2026 年 07 月 17 日 14:34 | 分类 碳化硅SiC
近日，晶盛机电在机构调研及投资者互动平台对外披露碳化硅衬底业务最新进展。 公司子公司浙江晶瑞电子材料有限公司正加快推进年产60万片8英寸SiC衬底项目投产工作，同时启动配套新一期基础设施建设，匹配下游新能源、AI、AR等市场长期增长需求。 该8英寸碳化硅衬底生产基地落地杭州湾上虞...  [详内文]

AI算力越猛，第三代半导体越火
作者 |发布日期 2026 年 07 月 16 日 16:36 | 分类 化合物半导体
随着人工智能服务器GPU功耗的持续攀升，数据中心正迎来供电架构的历史性变革。当前，单机柜功率已从过去数十千瓦跃升至数百千瓦级别，而业界普遍认为，兆瓦级机柜将在不久的将来成为现实。 这一趋势不仅直接拉动了GPU的出货需求，更从根本上改变了数据中心的能源管理逻辑——当系统功率密度急剧...  [详内文]

韩国大尺寸SiC MOSFET获新进展
作者 |发布日期 2026 年 07 月 16 日 16:25 | 分类 碳化硅SiC
7月15日，韩国媒体《首尔新闻》报道，韩国功率半导体设计企业RootSemicon与碳化硅专业晶圆制造商SK Powertec联合研发的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET取得关键进展，芯片首轮工程流片平均良率达到80%。 双方于今年4月正式签署SiC MOSFET晶圆...  [详内文]

超7亿元融资，投向SiC产业
作者 |发布日期 2026 年 07 月 16 日 15:15 | 分类 企业 , 碳化硅SiC
近日，广东芯聚能半导体有限公司联合广东芯粤能半导体有限公司宣布完成D轮配套股权融资交割，本轮融资总额超过7亿元人民币。融资由万联天泽旗下天泽晶芯基金领投，上海云泽锦沃、西交一八九六两大机构跟投。此次融资吸引了产业资本、私募基金及高校科创资本三方共同参与，资金将用于进一步推动第三代...  [详内文]

长晶科技牵头筹建江苏省新型功率半导体重点实验室
作者 |发布日期 2026 年 07 月 15 日 14:41 | 分类 功率
7月11日，江苏省科技厅公示首批企业主导省级重点实验室筹建名单，江苏长晶科技股份有限公司牵头、联合南京邮电大学共建的“江苏省新型功率半导体重点实验室”正式入选筹建序列。 图片来源：公示名单截图 实验室面向能源转型、集成电路自主可控需求，瞄准新型功率半导体共性技术瓶颈，规划四大核...  [详内文]