英飞凌发布抗辐射栅极驱动芯片，助力GaN“上天”

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 23 日 17:27 | 分类 企业 , 氮化镓GaN | edit

英飞凌近日宣布推出RIC70115抗辐射栅极驱动芯片。该产品专为氮化镓功率半导体控制设计，同时兼容硅基器件，主要面向卫星及其他高可靠性航天应用场景。 太空中的辐射环境对半导体器件构成双重威胁：累积性辐射损伤会逐步劣化器件性能，而高能粒子引发的单粒子效应则可能导致电路瞬间误动作。 ...  [详内文]

瑞能半导体推出WMSC系列碳化硅功率模块

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 23 日 17:24 | 分类 碳化硅SiC | edit

7月20日，瑞能半导体（WeEn Semiconductors）官方发布消息，正式推出WMSC全系列碳化硅功率模块，产品面向固态变压器（SST）、新能源汽车超充、智能电网与可再生能源等高功率转换场景。本次新品包含20余款标准化器件，目前已开放样品申领与批量供货通道。 图片来源：...  [详内文]

磷化铟、金刚石、碳化硅耗材同步扩产！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 23 日 17:20 | 分类 企业 , 化合物半导体 , 碳化硅SiC | edit

AI算力基础设施持续扩容，带动化合物半导体上游材料、关键耗材赛道投资热度持续上行。 近期国内三个差异化化合物半导体项目相继迎来落地、建设关键节点： 上海九东半导体磷化铟衬底制造项目签约落户云南曲靖 湖北碳六科技CVD金刚石半导体材料生产基地落地青海西宁 安徽四象半导体合肥基地推...  [详内文]

山东大学与远山半导体联手突破1800V增强型GaN功率器件，破解中高压应用关键瓶颈

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 22 日 15:15 | 分类 氮化镓GaN | edit

近期，山东大学集成电路学院刘超教授团队联合远山半导体在高压氮化镓（GaN）功率晶体管领域取得重要进展，基于极化超结（PSJ）技术成功研制出1800V耐压、电流超过20A的增强型（E-mode）GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。相关研究成果以“1800V/20A E-mode ...  [详内文]

学界首次制备氮化镓纳米晶体

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 22 日 15:13 | 分类 氮化镓GaN | edit

7月15日，美国芝加哥大学联合阿贡国家实验室团队在国际顶刊《Nature》刊发重磅研究，采用全新熔融盐制备工艺，全球首次实现氮化镓等金属氮化物胶体纳米晶可控合成，打破长期以来金属氮化物无法制备纳米晶体的技术壁垒，为印刷电子、柔性照明、医疗植入、工业催化等赛道开辟全新材料路径。 纳...  [详内文]

高达数亿元！化合物半导体多笔融资落地

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 22 日 15:10 | 分类 企业 , 化合物半导体 | edit

近期国内化合物半导体赛道密集迎来多笔产业融资，资本持续加码功率器件、核心装备、高速光芯片三大核心环节。其中，硅基氮化镓功率器件企业、国产半导体设备厂商、高端磷化铟光芯片企业先后完成融资落地，覆盖第三代功率半导体、光通信化合物半导体等高景气赛道。 01、星钥半导体数亿元融资落地，加...  [详内文]

芯光光电推出全自动碳化硅激光剥离设备，破解大尺寸衬底量产瓶颈

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 21 日 15:49 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

在碳化硅衬底加工环节，传统线切割工艺长期面临材料损耗大、加工效率低、晶片表面损伤严重等痛点，已成为制约第三代半导体产业规模化发展的关键瓶颈之一。浪潮集团旗下芯光光电依托在激光加工领域多年的技术积累，推出新一代全自动碳化硅激光剥离设备，为国内衬底企业提供了一套高效、低损、全自动的国...  [详内文]

这家SiC晶圆厂，启动清算！

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 21 日 15:40 | 分类 企业 , 碳化硅SiC | edit

据韩国媒体《The Elec》报道，韩国唯一本土半导体硅晶圆制造商 SK Siltron已于近日正式启动其位于美国密歇根州贝县的碳化硅（SiC）晶圆生产子公司SK Siltron CSS的清算程序，整体清算工作预计将在今年（2026年）年内完成。此举是SK Siltron与斗山集...  [详内文]

三菱电机、罗姆、东芝加速推进功率半导体业务合并

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 21 日 15:23 | 分类 企业 , 功率 | edit

近期，媒体报道，日本三大半导体制造商三菱电机、罗姆与东芝正加紧磋商，力争在2026年9月前完成功率半导体业务的合并协议签署。三菱电机执行总裁漆间启对外披露了这一时间表，并表示三家企业的目标是组建一家占据全球电力器件市场11.3%份额的新实体，届时将仅次于英飞凌，位列全球第二。 这...  [详内文]

苏州纳米所在ISPSD 2026连发两项GaN功率器件突破

作者 KikiWang|发布日期 2026 年 07 月 20 日 14:48 | 分类 氮化镓GaN | edit

在日前举行的功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD 2026上，中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队连续发表了两项研究进展，分别针对高压GaN功率器件在工程应用中长期面临的两大瓶颈——栅极阈值电压漂移与导通电阻居高不下——给出了从物理机制到器件结构的系统性解决方案。 突破一：引...  [详内文]