近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布启动全球首条200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工业级开放研发生产线。
图片来源：A-STAR图为A-STAR首席执行官 Beh Kian Teik
该生产线由ASTAR微电子研究所（IME）运营，整合了从材料生长、缺陷分析到器件制造与测试的完整流程，旨在解决SiC技术开发中高成本、技术分散等挑战，加速其在电动汽车、电网及数据中心等高功率应用领域的商业化进程。
新加坡贸易和工业部第二部长陈诗龙透露，该生产线可供新加坡本地公司使用，特别是那些服务于电力电子终端市场的公司。它为本地企业提供了一个先进的研发和生产平台，使企业能够更便捷地开展碳化硅相关技术的研究和产品开发，提升自身的技术水平和市场竞争力。
另据媒体报道，该产线将与ASM、centrotherm、Soite等公司合作，其中centrotherm提供高温退火与氧化设备，IME将与Soite联合开发SmartSiC™技术，结合Soitec的SmartCut™工艺与IME的中试线，目标生产节能型高质量SiC晶圆。
未来，A-STAR还将与意法半导体、ULVAC和新加坡国立大学等达成合作。其中，与意法半导体的合作聚焦研发SiC功率器件及封装模块，优化汽车与工业应用性能，加速绿色出行及能效提升。
作为全球半导体产业重要枢纽，新加坡正加速布局第三代半导体领域。
政策与资金方面，新加坡政府宣布投入10亿新元（约7.45亿美元）设立全新半导体研发中心，聚焦先进封装、第三代半导体材料等前沿领域。
生产制造环节，除了上述8英寸产线外，Soitec新加坡工厂也在积极扩产。Soitec计划到2026年将全球年产能提升至450万片，其新加坡工厂扩产300mm SOI晶圆，并涵盖SiC材料生产。
近年，全球争相发力第三代半导体产业，亚洲国家表现活跃，新加坡是代表之一，此外，中国、日本、韩国同样在大力布局。
中国“十四五”规划明确提出将第三代半导体列为重点发展方向，通过国家科技重大专项、产业基金等推动技术研发与产业化。产业链布局上，天科合达、山东天岳等公司聚焦SiC衬底生产，产能持续扩张；比亚迪半导体、斯达半导等公司积极开发车规级SiC功率模块，应用于新能源汽车；英诺赛科全球首个8英寸GaN芯片量产，覆盖消费电子与数据中心；蔚来、小鹏等车企加速SiC电机控制器渗透。
日本第三代半导体产业代表企业包括罗姆、住友电工、三菱电机等，该国通过“半导体·数字产业战略”提供研发补贴，强化材料与设备优势。
韩国“K-半导体战略”提出投资4500亿美元建设全球最大半导体集群，第三代半导体为重点方向。此外，三星电子等半导体大厂也在积极研发SiC模块，韩国还与Soitec合作，引入法国SmartSiC™技术，提升本地SiC晶圆质量。
（集邦化合物半导体 秦妍 整理）
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