从氮化镓（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽车中的规模化应用，化合物半导体正加速重构半导体产业的竞争格局，为5G通信、智能电网、工业电机驱动等领域注入新动能。随着市场对高性能、高能效半导体器件需求的激增，国内化合物半导体项目层出不穷。近期，两个相关项目传出新进展，涉及碳化硅与氧化镓。
瀚薪科技浙江丽水新建碳化硅封测建设项目顺利封顶
5月27日，瀚薪科技通过全资子公司-浙江瀚薪芯昊半导体有限公司在丽水投建的“新建碳化硅封测建设项目”主体结构正式封顶。
图片来源：瀚薪科技
这一里程碑的达成，标志着公司在第三代半导体产业化的征程中迈出了关键一步。未来瀚薪科技的产品生产将进一步实现自主可控，研发技术快速迭代，以期为客户提供更全面、更优质的碳化硅解决方案，助力“双碳”目标与新能源产业升级！
资料显示，瀚薪专注SiC功率器件研发与产业化超15年，拥有自主知识产权及国际领先的芯片设计、封装工艺与测试能力。公司产品已通过车规级AEC-Q101及工规级JEDEC认证，与多家知名企业建立了紧密的合作关系。
广州这个氧化镓外延项目即将投产
近期，由香港科技大学霍英东研究院与香港科技大学（广州）联合孵化的“拓诺稀科技”传出新进展，其位于南沙的首个先进生产厂房正式启用。
该厂房配备高标准洁净室设施和完善的生产研发配套，具备批量化外延制备能力，实现 “从实验室走向产业”，为大规模推进氧化镓外延产品走向市场奠定了坚实基础。
图片来源：香港科技大学快讯
氧化镓（Ga₂O₃）作为一种具有超宽禁带的半导体材料，在高压功率电子、射频通讯、光电探测等领域展现出巨大的应用潜力。由香港科技大学（广州）陈子强教授与其博士生共同创立的拓诺稀科技，聚焦于氧化镓外延薄膜的制备及高性能半导体器件的开发，是全球独家通过MOCVD工艺实现了稳定p型导电氧化镓外延层的企业，填补了氧化镓材料体系中长期缺失的p型导电空白。
据悉，拓诺稀科技通过实现p型导电，使得氧化镓材料具备构建pn结及其他双极型器件（如BJT、IGBT）的能力，显著拓展在新能源汽车、工业机器人、电力能源等领域的应用空间。团队采用自主研发的MOCVD外延及加工工艺，形成全球独有的技术体系，支持多层pn结构设计以实现差异化器件性能。工艺兼容半导体行业标准设备，具备大规模量产与高度产业化的可行性，为晶圆加工和芯片集成提供坚实支撑。
（集邦化合物半导体 秦妍 整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。