近期，富加镓业正式推出新型（011）晶面氧化镓衬底产品，涵盖小片及2英寸标准规格，并全面开放4英寸衬底与2-4英寸外延片定制服务。
图片来源：杭州富加镓业科技有限公司
富加镓业成立于2019年，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备、衬底研磨抛光装备等。
设备领域，富加镓业研制了国际上首台具备“一键长晶”EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，可提供设备及配套工艺包。
同时，富加镓业自行研制了全自动VB晶体生长设备，并在国内率先突破了6英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸VB法单晶制备，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。此外，该公司还研发了2-6英寸氧化镓单晶衬底研磨抛光设备，并根据客户需要可提供成熟的研磨抛光及清洗工艺包。
单晶及外延片方面，富加镓业已经建立企业标准2项，获得ISO9001质量体系认证，向市场提供10mm至6英寸的多种晶向的氧化镓单晶衬底10mm至6英寸的MOCVD氧化镓外延片及10×15mm MBE氧化镓外延片。
氧化镓作为极具潜力的第四代半导体材料，能承受超高电压、成本低，在电动汽车、轨道交通、5G/6G基站、智能电网、航空航天等系统中应用广泛，被誉为下一代高功率电子器件的“明星材料”，陆续吸引众多厂商进行研发。
稍早之前，宣布在氧化镓同质外延技术上取得重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。
据悉，#镓仁半导体 6英寸氧化镓同质外延片外延层厚度超过10微米，厚度均匀性优异，方差σ小于1%。高分辨XRD摇摆曲线半高宽小于40弧秒，表明外延层结晶质量高、晶格完整性良好。通过电容-电压（C-V）法测试，外延层载流子浓度介于1.60E16cm⁻³至1.92E16cm⁻³之间，标准方差为6.08%，证实外延层电学均匀性良好。
（集邦化合物半导体整理）
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