近日，国内超宽禁带半导体材料企业北京铭镓半导体有限公司完成A++轮超亿元股权融资。本轮投资方包括彭程创投、成都科创投、天鹰资本、国煜基金及洪泰基金等多家机构，融资额约1.1亿元，投后估值达9.1亿元。至此公司累计总融资已近4亿元。
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本轮融资将主要用于6英寸氧化镓衬底技术研发与量产、建设2-4英寸氧化镓衬底中试产线、超宽禁带半导体未来产业培育、以及磷化铟多晶产线规模化扩产。
铭镓半导体核心布局氧化镓、磷化铟等关键材料。2025年初，企业运用新工艺成功制备了4英吋（010）氧化镓晶坯，为全球首次，为制造更大尺寸、更低成本的氧化镓器件创造了条件。
大尺寸氧化镓技术迈向产业化
作为第四代超宽禁带半导体材料的核心代表，氧化镓凭借4.9eV超宽禁带、高临界击穿场强等特性，在高压功率器件、高频射频、新能源等领域展现出替代碳化硅、氮化镓的潜力，成为国内半导体产业突破的关键赛道。
杭州富加镓业科技有限公司成立于2019年，核心产品包括氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE外延片及VB法、EFG法晶体生长装备，已掌握从晶体生长、衬底加工到外延制备的完整技术链。
2025年12月，中国科学院上海光机所联合#富加镓业，在国际上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制备出8英寸氧化镓晶体。去年9月，富加镓业获近亿元融资，将主要用于建设国内首条6英寸氧化镓单晶及外延片生产线，预计2026年底实现年产万片产能。
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杭州镓仁半导体有限公司成立于2022 年，依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室，首创铸造法氧化镓单晶生长技术，全球首发8英寸氧化镓单晶衬底，开发国内首台带工艺包的氧化镓专用 VB 长晶设备并对外销售，在大尺寸衬底与装备自主化方面处于国际领先。
2025年10月，#镓仁半导体 宣布在氧化镓同质外延技术上取得重大突破，成功实现了高质量6英寸氧化镓同质外延生长。
地方政策精准加码氧化镓发展
产业突破的背后，地方政策支持持续加码。2026年开年以来，广州、浙江两地相继发布专项规划，将氧化镓纳入重点发展范畴，形成政策引导与产业创新的良性互动，为第四代半导体产业发展筑牢生态基础。
2026年1月8日，广州市人民政府办公厅正式印发《广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）》（以下简称《规划》），明确将半导体与集成电路列为五大战略先导产业之一，提出大力发展碳化硅、氮化镓、氧化镓等第三代半导体材料制造，通过全产业链布局、核心技术攻关与产业生态构建，推动广州成为国家集成电路第三极核心承载区。
图片来源：广州市人民政府办公厅文件截图
2026年1月初，浙江省经济和信息化厅发布的《浙江省“十五五”新型工业化规划（征求意见稿）》也明确将氧化镓、金刚石、碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料列为新一代半导体领域重点发展方向，与3-7nm晶圆制程突破、先进半导体设备研发等任务协同推进。
业内指出，国内氧化镓产业已实现从实验室研发向中试及规模化制备的关键跨越，叠加地方政策的精准赋能，有望加速在电力电子等领域的应用验证，推动我国在第四代半导体赛道确立国际竞争优势。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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