3月10日，科友半导体在官方微信发布消息称，公司已在12英寸碳化硅（SiC）晶片加工领域实现导电型与半绝缘型双突破，并成功打通从晶体生长到晶片加工的大尺寸全链条核心技术，标志着我国大尺寸碳化硅衬底产业化迈上新台阶。
图片来源：科友半导体
根据科友半导体的介绍，此次突破性进展集中在加工环节：一是设备兼容性优化，实现同等主机中心距下由8英寸向12英寸的“零改装”升级，显著降低客户产线转型成本；二是采用拓扑优化技术开发大直径薄壁游星轮结构，兼顾高强度与轻量化，提升传输稳定性；三是改进非标准渐开线齿形设计，降低啮合冲击，适配低速高扭矩高精度加工场景；四是引入数字孪生仿真平台，可在虚拟环境中全流程模拟验证，缩短研发周期并降低试错成本。
产品性能方面，科友半导体12英寸碳化硅晶片已实现总厚度偏差（TTV）≤1.0μm、局部平坦度（LTV）≤0.5μm、表面粗糙度（Ra）≤0.2nm，可满足大功率电子器件及射频器件制造所需的高质量衬底要求。
近年来，科友半导体在12英寸碳化硅领域持续突破。2025年9月，科友半导宣布体依托自主研发的12英寸碳化硅长晶炉及热场技术，成功制备出12英寸碳化硅晶锭。2025年10月中旬，科友半导体宣布在成功制备12英寸半绝缘碳化硅单晶。
业内分析认为，12英寸碳化硅晶片因单晶圆芯片产出量更大、单位成本更低，是全球第三代半导体向高效低成本发展的重要方向。科友半导体的全链突破不仅打破了国外在大尺寸SiC加工领域的技术壁垒，也有望加速新能源汽车、5G通信、智能电网等领域对高性能SiC器件的规模化应用。
（集邦化合物半导体整理）
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