近日，国内功率半导体企业宏微科技发布投资者关系活动记录表公告，披露公司在高端半导体器件研发、市场拓展及成本控制等方面的多项重要进展，涵盖AI服务器供应链、第三代半导体技术、成本应对及前沿领域布局。
公告显示，公司自主研发的NCB SiC模块已成功通过海外主流AI服务器厂商整机认证，并实现小批量供货，正式切入高端算力电源核心供应链。
针对AI服务器电源的旺盛需求，宏微科技持续加码相关产品布局，目前公司聚焦的高压SST（固态变压器）产品及GaN（氮化镓）产品，正与国内外行业头部厂商开展联合研发及送样工作，稳步推进产品市场化进程。
为应对上游贵金属成本上涨带来的经营压力，公司已从4月1日起对部分非核心产品实施调价，平均涨幅约10%。据证券日报报道，目前该调价方案已获得大部分客户认可，接受度良好，公司计划通过此次调价释放利润弹性，后续将视上游晶圆厂涨价情况，决定是否进一步向下游传导成本压力，保障公司经营稳定。
在技术研发层面，公司持续发力第三代半导体领域，其子公司宏微爱赛自主研发的650V GaN HEMT芯片已研发成功，该产品凭借先进技术可有效降低数据中心功耗，提升能源利用效率。
此外，公司还在前沿领域积极布局，正与多家电源厂商及科研院所联合研发高压大电流SiC模块方案，重点聚焦国家队的托卡马克核聚变装置，依托自身在高压功率半导体芯片、模块的设计、封装及测试技术优势，为核聚变装置的核心电源系统提供解决方案。同时，公司与北京怀柔实验室达成SiC技术成果转化战略合作，集中资源攻克高压大电流SiC芯片技术，持续强化技术壁垒。
财报数据方面，宏微科技2025年实现营业总收入13.48亿元，同比增长1.23%，归母净利润1711.49万元，同比扭亏为盈。2026年一季度，公司营业总收入3.09亿元，归母净利润90.91万元，基本实现盈亏平衡。
（集邦化合物半导体整理）
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