2026年6月9日，Wolfspeed正式宣布推出第五代（Gen 5）碳化硅MOSFET技术，面向750V及1200V汽车与工业应用。
据Wolfspeed官方披露，第五代SiC MOSFET技术相较当前市售同类1200V竞品解决方案，最高可降低27%的比导通电阻，显著改善系统级导通损耗，助力终端设备实现更高能效。其中，1200V器件QEM50120-025D10在175°C下比导通电阻达3.4mΩ-cm²，750V器件QEM50075-025D10则为2.0mΩ-cm²，芯片尺寸均为5x5mm。
目前，上述两款型号的样品已通过Wolfspeed直接销售代表向特定客户提供，进入客户验证阶段。按照规划，随着市场需求与客户需求最终确定，公司预计在2026年至2027年初，陆续推出更多覆盖750V至1200V电压等级的第五代SiC MOSFET新产品，进一步完善产品矩阵。
Wolfspeed首席商务官Dr. Cengiz Balkas表示，继第四代技术实现开关性能突破后，不到两年时间推出第五代技术，核心是为客户提供更小尺寸、更高电流密度的解决方案，加速高效、紧凑电力系统的落地。该技术基于Wolfspeed已量产、可快速扩产的200mm自动化制造平台开发，为汽车与工业客户提供低风险、快速落地路径。
第五代SiC MOSFET技术主要面向新能源汽车主逆变器、车载充电、工业电源及储能等场景，可帮助系统厂商设计更紧凑的牵引逆变器，提升车辆续航里程，同时优化电动汽车充电基础设施能效。此外，该技术还可支持以固态断路器替代机械继电器，拓展碳化硅在更多工业领域的应用空间。
（集邦化合物半导体整理）
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