近期，德国汽车零部件与芯片制造商博世宣布，其位于加利福尼亚州罗斯维尔的首座美国半导体工厂已正式启动碳化硅芯片的样品生产，预计将于2026年晚些时候转入商业化量产阶段。
该工厂原属TSI Semiconductors，博世于2023年完成收购，总投资达20亿美元，使之成为博世在美国的首个半导体生产基地。这座拥有近40年半导体制造经验的工厂，现已转型为以碳化硅芯片为核心的200毫米晶圆生产基地。
碳化硅芯片是该工厂的生产重点，主要用于电动汽车的高压电力管理系统，能够更高效地将电池电力传输至电机，减少热量与能量损耗，从而提升续航里程和充电性能。此次生产的第三代碳化硅芯片，通过博世双通道沟槽技术的创新优化，在可靠性与性能方面较上一代提升约20%，同时尺寸进一步缩小。除汽车应用外，该芯片还可拓展至数据中心等能源密集型领域，满足更广泛的工业需求。
该项目获得了美国《CHIPS法案》2.25亿美元资金支持及加州2500万美元税收抵免。博世北美负责人表示，此次投资旨在打造更具韧性的本土供应链，减少对海外产能的依赖。
尽管当前纯电动车销量增长有所放缓，但混合动力车及其他工业应用的需求仍为项目推进提供了良好的市场窗口。博世计划到2031年在美国累计投资高达75亿美元，以进一步扩大本地半导体业务规模，持续深化其在美国市场的制造布局。该工厂的投产不仅标志着博世在全球半导体制造能力上的重要拓展，也将加速碳化硅技术在关键行业中的规模化应用。
（集邦化合物半导体整理）
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