1月22日，中瓷电子在投资者互动平台表示，目前公司已有多款1.6T光模块产品处于用户交样阶段，性能已通过客户验证，处于小批量交付阶段。
图片来源：拍信网正版图库
资料显示，中瓷电子专业从事电子陶瓷系列产品研发、生产和销售，公司主要产品包括光通信器件外壳、无线功率器件外壳、5G通信终端模块外壳等，应用于光通信、无线通信、消费电子、汽车电子等领域。
据称，公司电子陶瓷外壳类产品是高端半导体元器件中实现内部芯片与外部电路连接的重要桥梁，对半导体元器件性能具有重要作用和影响。公司已经可以设计开发400G光通信器件外壳，与国外同类产品技术水平相当。
据中瓷电子介绍，公司无线功率器件外壳可用于封装Si、GaAs、GaN等芯片的分立器件和模块，种类覆盖Bipolar、LDMOS、GaN和大功率晶体管等功率器件。
目前，以SiC和GaN为代表的第三代半导体市场一片火热，中瓷电子业务布局也正在向第三代半导体产业倾斜。
2023年3月，中瓷电子宣布拟向不超过35名特定对象发行股份，募集配套资金总额不超过25亿，投向GaN微波产品精密制造生产线建设项目、通信功放与微波集成电路研发中心建设项目、第三代半导体工艺及封测平台建设项目以及SiC高压功率模块关键技术研发项目。
通过实施上述四大项目，中瓷电子有望实现GaN通信射频芯片设计、制造、封装、测试和销售的全产业链布局，并具备SiC功率模块的设计、生产、销售能力。
目前，在SiC进展方面，中瓷电子子公司北京国联万众半导体科技有限公司(以下简称国联万众)电驱用1200V SiC MOSFET芯片已研发成功正在交客户上车验证中，有小批量销售。
据悉，国联万众现有的SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，未来拟攻关高压SiC功率模块领域。目前，国联万众车规级SiC MOSFET模块已向国内一线车企稳定供货数百万只。
GaN进展方面，中瓷电子子公司博威集成电路扩建工程第三代半导体功率器件产业化项目已建成并投入使用，项目主要产品为GaN通信基站射频芯片与器件等产品，产能规划为600万只/年。（集邦化合物半导体Zac整理）
更多SiC和GaN的市场资讯，请关注微信公众账号：集邦化合物半导体。