7月11日，银河微电发布公告，将以3.1亿元启动“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”，项目选址江苏常州市新北区薛家镇，周期30个月。这笔资金主要用于购置土地和厂房土建，为后续引进先进设备、打造智能化生产线铺路。
图片来源：银河微电公告截图
公开资料显示，银河微电当前主营小信号器件、功率器件、光电器件、电源管理IC以及第三代半导体器件（SiC、GaN），产品覆盖汽车电子、工业控制、新能源和5G通信等场景。
业绩稳步增长，产能瓶颈凸显
2025年一季度该公司实现营收2.18亿元，同比增长12.11%。同期，归母净利润610.02万元，同比下降64.77%；扣除非经常性损益的净利润96.11万元，同比下降91.44%。利润下滑主因在于市场竞争导致产品毛利率下降，以及为扩大生产规模而新设控股子公司带来的固定资产折旧和管理费用增加。研发投入则同比增长24.64%，显示公司持续在技术创新上投入。
此前该公司披露，2024年全年营收达9.09亿元，同比增长30.75%；归母净利润7187.42万元，同比增长12.21%。然而，尽管订单持续增长，受限于现有生产场地、设备及人力资源，公司产能已无法充分满足市场需求。
第三代半导体技术突破，助力产能扩张
据悉，银河微电敢于大规模扩产，源于其深厚的技术积累。公司不仅在传统硅基平台有所建树，更成功建立了SiC MOSFET和GaN HEMT芯片设计能力，并已实现小批量出货。
在SiC MOSFET方面，今年3月4日，银河微电与复旦大学联合发布了“新能源汽车用SiC MOSFET关键技术研发阶段成果”。其中，1200V车规级SiC芯片已完成三轮流片，并通过AEC-Q101可靠性验证，预计将在2025年第四季度导入一期基地的小批量生产线。
针对GaN HEMT，继2023年11月与晶通半导体签署战略合作协议后，2025年6月，公司已在6英寸产线上成功完成650V/900V HEMT工程批生产，DFN8×8和TOLL两种封装良率均达92%以上。银河微电计划将GaN器件优先应用于对效率和小型化要求极高的快充和服务器电源市场。
此外，今年5月，银河微电还披露了12个已结题或在研项目。其中，多项与此次扩产直接相关例如：
- 超低阻抗TO-247-4L SiC MOS封装平台已具备车规级量产能力；
- 6英寸平面芯片平台已完成稳压二极管、高频开关二极管全系列开发，可直接移植到新厂房；
- 同时，Clip Bond功率MOSFET和IPM智能功率模块均已进入量产阶段，计划在2025年内同步迁入新基地以放大生产规模。
为提高资金使用效率，2025年7月12日，银河微电董事会和监事会审议通过了《关于使用部分暂时闲置可转换公司债券募集资金进行现金管理的议案》。同日，公司也公告了一项募投项目建设时间的调整。受土地获取和施工进度等因素影响，首次公开发行股票募投项目“车规级半导体器件产业化项目”的建设时间由原计划的2025年7月调整至2026年7月。虽然单个项目建设周期有所延长，但整体扩产战略并未改变。
（集邦化合物半导体 竹子 整理）
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