日本半导体材料巨头JX先进金属公司（JXAdvancedMetalsCorp.，以下简称“JX金属”）近日宣布，将对旗下矶原工厂的磷化铟（InP）衬底生产设施进行追加资本投资。
图片来源：JX官网新闻稿截图
此轮追加投资额与该公司7月份宣布的投资合并计算，总投资额约达33亿日元（约合2200万美元），旨在将公司InP衬底的产能提升约50%（相比2025年水平）。此举明确指向由生成式AI驱动的全球超大规模数据中心建设热潮。
AI推动光通信材料需求急增
此次大规模扩产的核心驱动力是AI算力对高速光通信的爆炸性需求。
磷化铟（InP）衬底是制造高性能光通信器件的关键核心材料。随着生成式AI的快速普及，全球数据中心的建设正在加速，导致数据中心内部和之间的数据传输量呈指数级增长。InP衬底对于生产光通信中的光發射器和接收器至关重要，是保障数据在光模块中实现高速、大容量、低能耗传输的基石。
JX金属在7月份宣布了首轮约15亿日元的投资计划（将产能提高约20%）。然而，鉴于AI持续演进带来的InP需求激增速度远超预期，公司决定进一步追加投资。
JX金属在新闻稿中表示，建立一个能应对InP衬底需求急剧增加的系统已成为当务之急。
InP：未来光电融合技术的关键
作为全球少数几家拥有40多年InP衬底制造经验的制造商之一，JX金属此举不仅是为了满足当前光通信市场的需求，更是对未来技术的战略布局。
InP衬底除了广泛应用于光通信模块外，还是光电融合技术（Photonic-Electronic Convergence Technology）的潜在核心材料。光电融合技术被视为下一代信息通信基础设施的关键，它有望将高速数据处理能力和极低的能耗带入板间、甚至芯片封装间的通信。
通过此次总额达33亿日元的投资，JX金属将显著强化其在化合物半导体材料领域的全球竞争力和供应链地位，为全球AI和高速通信基础设施提供强有力的支持。
（集邦化合物半导体整理）
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