安世半导体推出首款SiC MOSFET
11月30日,Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET,并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件,RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。
NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexpe...  [详内文]
安世半导体、Transphorm等推出SiC/GaN新品 |
| 作者 huang, Mia | 发布日期: 2023 年 12 月 01 日 11:14 | | 分类: 企业 |
