11月10日，格芯（GlobalFoundries）宣布与台积电（TSMC）签署技术授权协议，获准使用台积电的650 V与80 V氮化镓（GaN）技术。该授权旨在帮助格芯加速在美国本土推出面向数据中心、工业以及汽车市场的全新GaN电源产品组合，开发时间定于2026年初，生产将于今年晚些时候开始。
图片来源：GlobalFoundries官网新闻稿
格芯将在其位于佛蒙特州伯灵顿的制造工厂对获得许可的氮化镓技术进行鉴定，利用该工厂在高压硅基氮化镓技术方面的专业知识，为寻求下一代功率器件的客户加快量产速度。
据了解，格芯正在开发全面的氮化镓产品组合，包括高性能650V和80V技术，旨在支持电动汽车、数据中心、可再生能源系统和快速充电电子设备。
GlobalFoundries电源业务高级副总裁TéaWilliams表示：“随着这项经过验证的氮化镓技术的加入，我们将加快下一代氮化镓芯片的开发，并提供差异化的解决方案，以解决从数据中心、汽车到工厂车间等关键任务应用的关键电源缺口。”
GaN属于宽禁带半导体，电子迁移速度快、开关频率高，导致开关损耗仅为硅器件的十分之一左右。随着AI训练、云计算以及电动汽车对高功率、高效率电源的需求快速增长，传统硅基功率器件已难以满足功率密度和能效的双重挑战，GaN逐渐成为成为数据中心、工业电源和车载充电系统的关键技术。
格芯获台积电GaN授权，聚焦美国本土相关市场产品布局；而数据中心领域，英伟达10月也围绕GaN技术展开行动，发挥其重要潜力。
英伟达携手GaN厂商，引领数据中心能源革新
10月，#英伟达 在官网发布题为《构建800伏直流电生态系统，打造高效可扩展的AI工厂》的技术文章，并同步更新了其800V系统的供应商名单。该名单包括了英飞凌、安森美、意法半导体、德州仪器、罗姆等功率半导体厂商，也包括全球领先的氮化镓厂商-英诺赛科。
文章中，英伟达提出在设施级别生成800VDC并将其直接输送到800VDC计算机架，使用更简单的三线设置（POS、RTN、PE）而不是交流四线设置，从而减少铜缆和成本，提高效率。
该架构依赖于高压GaN/SiC功率器件提供的低损耗开关能力，尤其在高频固态变压器（SST）和高压固态继电器的实现上发挥关键作用。
传统硅基半导体在高频、高压场景下难以为继，只有氮化镓功率器件能够同时满足这些严苛要求。GaN的禁带宽度约为3.4电子伏特（eV），几乎是硅（1.12eV）的三倍。这一特性意味着GaN能够承受更高的电压和电场强度而不会发生击穿。
结语
格芯的氮化镓技术授权为美国本土高压功率器件的快速布局奠定了基础，而英伟达的800V直流生态则为数据中心提供了高效、低损耗的供电方案。两者在高压GaN技术上的相互呼应，将加速AI算力、工业自动化和电动汽车等关键领域的能源转型，预示着从硅到氮化镓的功率时代正加速到来。
（集邦化合物半导体 金水 整理）
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