韩国科技媒体The Elec于2026年7月31日援引多位半导体行业知情人士消息披露，三星电子在龙仁器兴园区推进的8英寸氮化镓（GaN）功率半导体代工项目在试生产阶段遭遇技术瓶颈。因部分测试芯片在长时间高温运行测试中出现失效故障，原本规划于2026年年内实现商业化量产的计划预计将面临数月的延期。
据知情人士透露，三星电子近期在其月产能约1300至1500片晶圆的8英寸氮化镓专用代工线上，对无晶圆厂（Fabless）客户提交的芯片设计进行了试生产。测试结果显示，部分芯片在摄氏100度至200度的高温环境中连续暴露暴露约1000小时后停止工作。鉴于氮化镓半导体通常应用于最高可承载1200伏特高压以及超过200度高温的环境中，并被广泛部署于电动汽车、数据中心和机器人技术等领域，目前试产芯片的可靠性指标尚未达到商业化使用标准。
针对故障产生的原因，业内分析主要指向晶圆制造与外延片工艺环节。氮化镓器件需要在硅基底上通过外延生长生成氮化镓层，若外延层的质量或晶体结构未达到最佳状态，其缺陷在高温高压条件下会被放大。三星电子目前通过自研的有机金属化学气相沉积（MOCVD）设备供应外延片。知情人士指出，工艺团队在调整晶圆工艺以满足2至3伏特的功率半导体阈值电压目标时，可能忽视了工艺修改对器件长期使用寿命的影响。
三星电子于2023年重组LED业务并成立化合物半导体解决方案（CSS）部门，原计划于2025年启动专用GaN代工线，后因功率半导体市场环境原因推迟至2026年底。由于三星电子此前优先发展存储芯片等核心业务，进入GaN代工赛道的时间晚于英飞凌、意法半导体、德州仪器及英诺赛科等已实现商业化出货的竞争对手。部分客户在试产故障出现后，已开始评估寻找替代代工厂商的可能性。
针对试产故障及量产延期传闻，三星电子官方发言人回应表示，公司目前仍处于量产前的准备阶段，正在解决研发过程中的正常技术挑战。官方强调，试生产阶段出现的调试问题属于正式量产前排除错误的常规流程。
（集邦化合物半导体整理）
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